RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

←  →

Конференции и симпозиумы


Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

 а,  а,  б,  б,  б,  б,  б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

Список литературы (7) Похожие статьи (20) ↓

  1. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» УФН 168 217–219 (1998)
  2. А.Ф. Волков, В.В. Павловский «Явления фазовой когерентности в S/N/S структурах» УФН 168 205–209 (1998)
  3. Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» УФН 168 212–216 (1998)
  4. А.В. Шитов, П.А. Ли, Л.С. Левитов «Локализация квазичастиц в NS-структуре» УФН 168 222–226 (1998)
  5. Б. Спивак, А. Зюзин «Взаимодействие Рудермана-Киттеля с памятью знака в неупорядоченных металлах и магнитная связь в мезоскопических слоистых системах металл/ферромагнетик» УФН 168 209–212 (1998)
  6. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах» УФН 167 566–568 (1997)
  7. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» УФН 166 906–907 (1996)
  8. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» УФН 167 552 (1997)
  9. Ю. Кениг, Х. Шеллер, Г. Шен «Резонансное туннелирование через одноэлектронный транзистор» УФН 168 170–175 (1998)
  10. В.И. Фалько «Проявление локальной плотности состояний во флуктуациях дифференциального кондактанса при резонансном туннелировании между неупорядоченными металлами» УФН 168 166–170 (1998)
  11. С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» УФН 188 1129–1134 (2018)
  12. В. Хансен, Д. Шмерек, К. Штайнебах «Основные состояния в одномерной электронной системе» УФН 168 188–192 (1998)
  13. Г.Б. Лесовик, А.Л. Фушер, Дж. Блаттер «Описание нелинейного транспорта в NS-контактах с помощью матрицы рассеяния» УФН 166 901–901 (1996)
  14. С.И. Дорожкин «Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона» УФН 175 213–218 (2005)
  15. В.Ф. Гантмахер «Переход сверхпроводник — диэлектрик и диэлектрики с локализованными электронными парами» УФН 168 231–234 (1998)
  16. А. Голд «Переход сверхпроводник-диэлектрик в неупорядоченном бозе-конденсате» УФН 168 234–237 (1998)
  17. А. Фридман, Э.П. Прайс, Р.К. Дайнс «Мезоскопические явления в неупорядоченных сверхпроводниках» УФН 168 237–241 (1998)
  18. А.Н. Лавров, В.Ф. Гантмахер «Низкотемпературное сопротивление недодопированных купратов» УФН 168 241–244 (1998)
  19. А.Д. Заикин, Д.С. Голубев и др. «Квантовые флуктуации и диссипация в тонких сверхпроводящих проволоках» УФН 168 244–248 (1998)
  20. М.Е. Гершензон, Ю.Б. Хавин, А.Л. Богданов «Электроны в квазиодномерных проводниках: от высокотемпературной диффузии к низкотемпературной прыжковой проводимости» УФН 168 200–203 (1998)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение