RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

февраль

←  →

Конференции и симпозиумы


Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

 а,  а,  б,  б,  б,  б,  б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции "Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы", Черноголовка - 97

Текст pdf (592 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

Список литературы (7) Похожие статьи (20) ↓

  1. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» УФН 168 217–219 (1998)
  2. Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» УФН 168 212–216 (1998)
  3. А.Ф. Волков, В.В. Павловский «Явления фазовой когерентности в S/N/S структурах» УФН 168 205–209 (1998)
  4. А.В. Шитов, П.А. Ли, Л.С. Левитов «Локализация квазичастиц в NS-структуре» УФН 168 222–226 (1998)
  5. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» УФН 166 906–907 (1996)
  6. Б. Спивак, А. Зюзин «Взаимодействие Рудермана – Киттеля с памятью знака в неупорядоченных металлах и магнитная связь в мезоскопических слоистых системах металл/ферромагнетик» УФН 168 209–212 (1998)
  7. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах» УФН 167 566–568 (1997)
  8. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» УФН 167 552 (1997)
  9. С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» УФН 188 1129–1134 (2018)
  10. Ю. Кениг, Х. Шеллер, Г. Шен «Резонансное туннелирование через одноэлектронный транзистор» УФН 168 170–175 (1998)
  11. С.И. Дорожкин «Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона» УФН 175 213–218 (2005)
  12. М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» УФН 169 917–919 (1999)
  13. В.В. Рязанов «Джозефсоновский π-контакт сверхпроводник – ферромагнетик – сверхпроводник как элемент квантового бита (эксперимент)» УФН 169 920–922 (1999)
  14. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» УФН 170 335–338 (2000)
  15. Г.Б. Лесовик, А.Л. Фушер, Дж. Блаттер «Описание нелинейного транспорта в NS-контактах с помощью матрицы рассеяния» УФН 166 901–901 (1996)
  16. А.Ф. Волков «Эффекты фазовой когерентности в мезоскопических структурах сверхпроводник – нормальный металл» УФН 166 905–905 (1996)
  17. Л.В. Бутов «Конденсация экситонов в двойных квантовых ямах» УФН 166 905–905 (1996)
  18. З.Д. Квон, Л.В. Литвин и др. «Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции» УФН 169 471–474 (1999)
  19. Н.С. Маслова, В.И. Панов, С.В. Савинов «Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников» УФН 170 575–578 (2000)
  20. В.И. Фалько «Проявление локальной плотности состояний во флуктуациях дифференциального кондактанса при резонансном туннелировании между неупорядоченными металлами» УФН 168 166–170 (1998)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение