Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Х. Шерер^б, А.Б. Зорин^б, Ф.Й. Алерс^б, Й. Нимайер^б, Х. Вольф^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бPhysikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
Web of Science

000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов
%A В. А. Крупенин
%A С. В. Лотхов
%A Х. Шерер
%A А. Б. Зорин
%A Ф. Й. Алерс
%A Й. Нимайер
%A Х. Вольф
%I Успехи физических наук
%D 1998
%J Усп. физ. наук
%V 168
%N 2
%P 219-222
%U https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365