Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C₆₀, C₇₀ и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.

PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g (все) DOI: 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/ A1997WU37100005 Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Вонг Ш, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников" УФН 167 289–307 (1997) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Wang Sh, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces” Phys. Usp. 40 275–290 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213