Выпуски

 / 

1997

 / 

Март

  

Приборы и методы исследований


Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C60, C70 и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.

Текст pdf (981 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213
PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/
A1997WU37100005
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Вонг Ш, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников" УФН 167 289–307 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Wang Sh, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfacesPhys. Usp. 40 275–290 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213

Список литературы (85) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (5)

  1. Curl R F, Smalley R E Sci. Am. 265 32 (1991)
  2. Kroto H W et al Nature (London) 318 162 (1985); Fostiropoulos K Int. J. Mod. Phys. B 6 3791 (1992)
  3. Tycko R et al Phys. Rev. Lett. 67 1886 (1991)
  4. Heiney P A et al Phys. Rev. Lett. 66 2911 (1991)
  5. Saito S, Oshiyama A Phys. Rev. Lett. 66 2367 (1991)
  6. Haddon R C et al Nature (London) 350 320 (1991); Haddon R C et al Acc. Chem. Res. 25 127 (1992)
  7. Hebard A F et al Nature (London) 350 600 (1991)
  8. Tanigaki K et al Nature (London) 352 222 (1991)
  9. Slanina Z et al J. Mol. Struct. 202 169 (1989)
  10. van Tendeloo G Europhys. Lett. 21 329 (1993)
  11. Krätschmer W et al Nature (London) 347 354 (1990)
  12. Ettl R et al Nature (London) 353 149 (1991)
  13. Diederich F et al Science 252 548 (1991); Diederich F et al Science 254 1768 (1991); Diederich F et al Acc. Chem. Res. 25 119 (1992)
  14. Kikuchi K et al Chem. Phys. Lett. 188 177 (1992)
  15. Lamb L D et al Surf. Sci. 255 1413 (1992)
  16. Shinohara H et al Nature (London) 357 53 (1992); Shinohara H et al Mater. Sci. Eng. B19 25 (1993)
  17. Yannoni C S et al Science 256 1191 (1992)
  18. Chai Y et al J. Phys. Chem. 95 7564 (1991)
  19. Johnson R D et al Nature (London) 355 239 (1992)
  20. Alvarez M M et al J. Phys. Chem. 95 10561 (1991)
  21. Weaver J H et al Chem. Phys. Lett. 190 460 (1992)
  22. Shinohara H et al J. Phys. Chem. 96 3571 (1992)
  23. Hammond G S, Kuck V J (Eds) Fullerenes-Synthesis, Properties, and Chemistry of Large Carbon Clusters (ACS Symposium Series 481) (Washington, DC: ACS, 1992)
  24. Stephens P W (Ed.) Physics & Chemistry of Fullerenes Vol. Vol. 1 (Singapore: World Sci. Publishing Co, 1993)
  25. Kuzmany H et al. (Eds) Electronic Properties of Fullerenes (Berlin: Springer-Verlag, 1993)
  26. Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Usp. Fiz. Nauk 165 977 (1995); Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Sov. Phys. Usp. 38 935 (1995)
  27. Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Usp. Fiz. Nauk 163 33 (2) (1993); Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Phys. Usp. 36 202 (1993); Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Usp. Fiz. Nauk 161 173 (1991); Eletski&ibreve; A V, Smirnov B M Sov. Phys. Usp. 34 616 (1991)
  28. Binnig G, Rohrer H Helv. Phys. Acta 55 726 (1982); Binnig G, Rohrer H Sci. Am. 253 40 (1985); Binnig G, Rohrer H Rev. Mod. Phys. 59 615 (1987)
  29. Feenstra R M, Stroscio J A, Fein A P Surf. Sci. 181 295 (1987)
  30. Krätschmer W, Fostiropoulos K, Huffman D R Chem. Phys. Lett. 170 167 (1990)
  31. Shinohara H et al J. Phys. Chem. 95 8449 (1991)
  32. Saito Y et al J. Phys. Soc. Jpn. 60 2518 (1991); Saito Y et al Jpn. J. Appl. Phys. 30 2857 (1991)
  33. Shinohara H et al J. Phys. Chem. 97 4259 (1993)
  34. Sakurai T et al Progr. Surf. Sci. 33 3 (1990)
  35. Hashizume T et al J. Vac. Sci. Technol. A9 743 (1991)
  36. Bakhtizin R Z et al Zh. Tekhn. Fiz. 64 113 (1994); Bakhtizin R Z et al JTP ((1994)])
  37. Bakhtizin R Z et al Zh. Eksp. Tear. Fiz. 108 977 (1994); Bakhtizin R Z et al JETP 81 538 (1995)
  38. Hamers R J, Tromp R M, Demuth J E Phys. Rev. B 34 5343 (1986)
  39. Bakhtizin R Z et al Appl. Surf. Sci. 94/95 478 (1996)
  40. Krätschmer W, Fostiropoulos K, Huffman D R Dusty Objects in the Universe (Eds E Bussolettu, A A Cittone) (Dordreiht: Kluwer, 1990) p. 89
  41. McKenzie D R et al Nature (London) 355 622 (1992)
  42. Pandey K C Proc. 17th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Eds D J Chadi, W A Harrison) (New York: Springers-Verlag, 1985) p. 55
  43. Takayanagi K et al J. Vac. Sci. Technol. A3 1502 (1985)
  44. Mönch W Semiconductor Surfaces and Interfaces (Berlin: Springer Verlag, 1993)
  45. Yannoni C S et al J. Phys. Chem. 95 9 (1991)
  46. Tycko R et al J. Phys. Chem. 95 518 (1991)
  47. Hashizume T, Sakurai T V J. Vac. Sci. Technol. B12 ((3)) 192 (1994)
  48. Wang X-D et al Phys. Rev. B 47 15923 (1993)
  49. Kawazoe Y et al Mater. Sci. Eng. B19 165 (1993); Ohno K, Maruyama Y, Kawazoe Y Phys. Rev. B 53 4078 (1996)
  50. Kawazoe Y et al Jpn. J. Appl. Phys. 32 1433 (1993); Ohno K et al., in Proc. 21st Int. Conference on the Physics of Semiconductors (Singapore: World Scientific, 1992)
  51. Zhang Y, Gao X, Weaver M J J. Phys. Chem. 96 510 (1992)
  52. Howells S et al Surf. Sci. 274 141 (1992)
  53. Li Y Z et al Phys. Rev. B 45 13837 (1992)
  54. Xu H, Chen D M, Creager W N Phys. Rev. Lett. 70 1850 (1993)
  55. Wang X-D et al Jpn. J. Appl. Phys. 31 L983 (1992)
  56. Tersoff J, Hamann D R Phys. Rev. Lett. 50 1998 (1983)
  57. Maruno S, Inanaga K, Isu T Appl. Phys. Lett. 63 1339 (1993)
  58. Hamers R J, Tromp R M, Demuth J E Phys. Rev. Lett. 56 1972 (1986)
  59. Xu H, Chen D M, Creager W N Phys. Rev. Lett. 70 1850 (1993)
  60. Balooch M, Hamza A V Appl. Phys. Lett. 63 150 (1993)
  61. Wang X-D et al Phys. Rev. B 49 7754 (1994)
  62. Wilson R J et al Nature (London) 348 621 (1990)
  63. Wragg J L et al Nature (London) 348 623 (1990)
  64. Altman E I, Colton R J Surf. Sci. 279 49 (1992)
  65. Chen T et al J. Vac. Sci. Technol. B10 170 (1992); Chen T et al Phys. Rev. B 45 14411 (1992)
  66. Altman E I, Colton R J Phys. Rev. B 48 18244 (1993)
  67. Gimzewski J K, Modesti S, Schlittler R R Phys. Rev. Lett. 72 1036 (1994)
  68. Kuk Y et al Phys. Rev. Lett. 70 1948 (1993)
  69. Motai K et al Jpn. J. Appl. Phys. 32 L450 (1993)
  70. Hashizume T et al Phys. Rev. Lett. 71 2959 (1993)
  71. Fartash A J. Appl. Phys. 79 742 (1996)
  72. Wang X-D et al Phys. Rev. B 49 14746 (1994)
  73. Altman E I, Colton R J Surf. Sci. 295 13 (1993)
  74. Sakurai T et al Appl. Surf. Sci. 87/88 405 (1995)
  75. Vaughan G B M et al Science 254 1351 (1991)
  76. Wertheim G K et al Science 252 1419 (1991)
  77. Rowe J E et al Int. J. Mod. Phys. B6 3909 (1992)
  78. Gao Y, Karasawa N, Goddard W A Nature (London) 351 464 (1991)
  79. Ohno K, Maruyama Y, Kawazoe Y Phys. Rev. B 53 4078 (1996)
  80. Lu J-P, LiX-P, Martin R M Phys. Rev. Lett. 68 1551 (1992)
  81. Gibbs J W The Collected Works of J. Willard Gibbs Vol. Vol. 1 (New Haven: Yale Univ. Press, 1948)
  82. Pan C et al J. Phys. Chem. 95 2944 (1991)
  83. Hoffmann R Solids and Surfaces: A Chemist's View of Bonding in Extended Structures (New York: VCH Publ. Inc., 1988); Translated into Russian, Hoffmann R Solids and Surfaces: A Chemist's View of Bonding in Extended Structures (Moscow: Mir, 1990)
  84. Chase S J et al Phys. Rev. B 46 7873 (1992)
  85. Ohno T R et al Phys. Rev. B 44 13747 (1991)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение