|
||||||||||||||||||
Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводникова Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C60, C70 и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.
|
||||||||||||||||||
|