Выпуски

 / 

1997

 / 

Март

  

Приборы и методы исследований


Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C60, C70 и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.

Текст pdf (981 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213
PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/
A1997WU37100005
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Вонг Ш, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников" УФН 167 289–307 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Wang Sh, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfacesPhys. Usp. 40 275–290 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213

Список литературы (85) Статьи, ссылающиеся на эту (12) ↓ Похожие статьи (5)

  1. Baskar A V, Benzigar M R et al Adv Funct Materials 32 (6) (2022)
  2. Pomogaev V A, Melchakova Yu A, Avramov P V Russ Phys J 63 1376 (2020)
  3. Cui D, MacLeod Je M, Rosei F Small 15 (45) (2019)
  4. Bakhtizin R Z, Oreshkin A I et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 78 34 (2014)
  5. Bozhko S I, Taupin V et al Phys. Rev. B 90 (21) (2014)
  6. Oreshkin A I, Bakhtizin R Z et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 73 883 (2009)
  7. Larsson J A, Elliott S D et al Phys. Rev. B 77 (11) (2008)
  8. Bulgakov R G, Galimov D I Russ Chem Bull 56 446 (2007)
  9. Oreshkin A I, Bakhtizin R Z et al Jetp Lett. 86 522 (2007)
  10. Bulgakov R G, Galimov D I et al Russ Chem Bull 55 955 (2006)
  11. Lu X, Grobis M et al Phys. Rev. B 70 (11) (2004)
  12. Lu X, Grobis M et al Phys. Rev. Lett. 90 (9) (2003)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение