Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C₆₀, C₇₀ и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.

PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g (все) DOI: 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/ A1997WU37100005 Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Вонг Ш, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников" УФН 167 289–307 (1997) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников AU Бахтизин, Р. З. AU Хашицуме, Т. AU Вонг, Ш. AU Сакурай, Т. PB Успехи физических наук PY 1997 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 167 IS 3 SP 289-307 UR https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199703e.0289 English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Wang Sh, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces” Phys. Usp. 40 275–290 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213