Т. Хашицуме



Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.
Адрес: Hatoyama, Saitama, Japan


Статьи

  1. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ч.-К. Щуе, Т. Сакурай «Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии» 167 1227–1241 (1997)
  2. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ш. Вонг, Т. Сакурай «Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников» 167 289–307 (1997)

См. также: Р.З. Бахтизин, Т. Сакурай, Ч.-К. Щуе, Ш. Вонг

PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd, 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g,

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение