Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C₆₀, C₇₀ и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7 \times 7 и Si(100)-2 \times 1) и металлов (Cu(111)-1 \times 1 и Ag(111)-1 \times 1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.

PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g (все) DOI: 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/ A1997WU37100005 Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Вонг Ш, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников" УФН 167 289–307 (1997) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces A1 Bakhtizin,R.Z. A1 Hashizume,T. A1 Wang,Sh. A1 Sakurai,T. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1997 FD 10 Mar, 1997 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 167 IS 3 SP 289-307 DO 10.3367/UFNr.0167.199703e.0289 LK https://ufn.ru/ru/articles/1997/3/e/ English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Wang Sh, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces” Phys. Usp. 40 275–290 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n03ABEH000213