RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

ноябрь

←  →

Приборы и методы исследований


Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4–α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4–α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.

Текст pdf (1,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309
PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
000071302300006
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН 167 1227–1241 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Xue Q-K, Sakurai T “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy” Phys. Usp. 40 1175–1187 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309

Список литературы (60) Статьи, ссылающиеся на эту (4) Похожие статьи (20) ↓

  1. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме и др. «Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников» УФН 167 289–307 (1997)
  2. А.А. Бабад-Захряпин, Н.С. Горбунов, В.И. Извеков «Экспериментальные методы изучения дифракции медленных электронов» УФН 77 727–748 (1962)
  3. Л.В. Арапкина, В.А. Юрьев «Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах» УФН 180 289–302 (2010)
  4. В.С. Вавилов «Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей» УФН 164 429–433 (1994)
  5. Н.Н. Кудрявцев, О.А. Мазяр, А.М. Сухов «Методы генерации молекулярных пучков» УФН 163 (6) 75–93 (1993)
  6. В.А. Гаспаров «Исследования поверхности Ферми металлов с помощью высокочастотных размерных эффектов» УФН 188 311–324 (2018)
  7. Ю.Л. Соколов «Интерференционный метод измерения параметров атомных состояний» УФН 169 559–583 (1999)
  8. М.П. Лорикян «Детекторы ядерного излучения и многозарядных частиц с рабочим веществом из пористых диэлектриков» УФН 165 1323–1333 (1995)
  9. Г.А. Месяц «Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических плазменных катодов» УФН 178 85–108 (2008)
  10. Д.А. Долголенко, Ю.А. Муромкин «Разделение изотопов в плазме на основе ионного циклотронного резонанса» УФН 179 369–382 (2009)
  11. Т.А. Исаев «Прямое лазерное охлаждение молекул» УФН 190 313–328 (2020)
  12. Е.Н. Рагозин, Е.А. Вишняков и др. «Спектрометры для мягкого рентгеновского диапазона на основе апериодических отражательных решёток и их применение» УФН 191 522–542 (2021)
  13. А.Е. Иешкин, А.Б. Толстогузов и др. «Газодинамические источники кластерных ионов для решения фундаментальных и прикладных задач» УФН 192 722–753 (2022)
  14. И.Р. Набиев, Р.Г. Ефремов, Г.Д. Чуманов «Гигантское комбинационное рассеяние и его применение к изучению биологических молекул» УФН 154 459–496 (1988)
  15. Ю.С. Нечаев, Е.А. Денисов и др. «Методика термодесорбционного изучения состояний водорода в углеродных материалах и наноматериалах» УФН 193 994–1000 (2023)
  16. Д.В. Казанцев, Е.А. Казанцева «Безапертурная ближнепольная микроскопия упругого рассеяния света» УФН 194 630–673 (2024)
  17. Г.В. Спивак, В.И. Петров, М.К. Антошин «Локальная катодолюминесценция и ее возможности для исследования зонной структуры твердых тел» УФН 148 689–717 (1986)
  18. В.С. Вавилов, А.Р. Челядинский «Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения» УФН 165 347–358 (1995)
  19. Р.А. Салимов «Мощные ускорители электронов для промышленного применения» УФН 170 197–201 (2000)
  20. В.С. Гречишкин, Н.Я. Синявский «Локальный ЯКР в твердых телах» УФН 163 (10) 95–119 (1993)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение