Выпуски

 / 

1997

 / 

Ноябрь

  

Приборы и методы исследований


Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4-α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4-α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.

Текст pdf (1,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309
PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
000071302300006
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН 167 1227–1241 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Xue Q-K, Sakurai T “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxyPhys. Usp. 40 1175–1187 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309

Список литературы (60) Статьи, ссылающиеся на эту (4) Похожие статьи (7) ↓

  1. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме и др. «Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников» 167 289–307 (1997)
  2. А.А. Бабад-Захряпин, Н.С. Горбунов, В.И. Извеков «Экспериментальные методы изучения дифракции медленных электронов» 77 727–748 (1962)
  3. Н.Н. Кудрявцев, О.А. Мазяр, А.М. Сухов «Методы генерации молекулярных пучков» 163 (6) 75–93 (1993)
  4. Л.В. Арапкина, В.А. Юрьев «Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах» 180 289–302 (2010)
  5. В.Ю. Хомич, В.А. Шмаков «Крупногабаритные зеркала в силовой оптике» 189 263–270 (2019)
  6. С.А. Пшеничнюк, Н.Л. Асфандиаров и др. «Современное состояние и перспективы спектроскопии диссоциативного захвата электронов» 192 177–204 (2022)
  7. А.А. Дедкова, И.В. Флоринский, Н.А. Дюжев «Подходы к определению кривизны пластин по рельефу их поверхности» 192 754–771 (2022)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение