Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии
Р.З. Бахтизина,
Т. Хашицумеб,
Ч.-К. Щуев,
Т. Сакурайв аБашкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация бHitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan вInstitute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan
Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4-α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4-α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.
PACS:61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd DOI:10.3367/UFNr.0167.199711f.1227 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/ 000071302300006 Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН167 1227–1241 (1997)
PT Journal Article
TI Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии
AU Бахтизин Р З
FAU Бахтизин РЗ
AU Хашицуме Т
FAU Хашицуме Т
AU Щуе Ч-К
FAU Щуе Ч
AU Сакурай Т
FAU Сакурай Т
DP 10 Nov, 1997
TA Усп. физ. наук
VI 167
IP 11
PG 1227-1241
RX 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
SO Усп. физ. наук 1997 Nov 10;167(11):1227-1241