RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

Ноябрь

←  →

Приборы и методы исследований


Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии

 а,  б,  в,  в
а Башкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
б Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
в Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4-α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4-α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.

Текст pdf (1,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309
PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
000071302300006
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН 167 1227–1241 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Xue Q-K, Sakurai T “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy” Phys. Usp. 40 1175–1187 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309

Список литературы (60) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (4) Похожие статьи (7)

  1. Madhukar A, Ghaisas S V CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 14 1 (1988)
  2. Herman M A, Sitter H Molecular Beam Epitaxy: Fundamental and Current Status (New York, Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 1996)
  3. Cho A Y (Ed.) Molecular Beam Epitaxy (New York: AIP Press, 1994)
  4. Bakhtizin R Z et al. Zh. Eksp. Teor. Fiz. 111 (5) 1858 (1997) [Sov. Phys. JETP 84 1016 (1997)]
  5. Sakaki H, Node H (Eds) Nanostructures and Quantum Effects (Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 1994)
  6. Cho A Y J. Appl. Phys. 42 2074 (1971); Arthur J R Surf. Sci. 43 449 (1974)
  7. Cho A Y, Arthur J R Prog. Solid State Chem. 10 157 (1975)
  8. Cho A Y J. Appl. Phys. 47 2841 (1976)
  9. Neave J H, Joyce B A J. Cryst. Growth 44 387 (1978)
  10. Larsen P K et al. Phys. Rev. B 27 4966 (1983)
  11. Joyce B A et al. Phys. Rev. B 29 814 (1984)
  12. Farrell H H, Harbison J P, Peterson L D J. Vac. Sci. Technol. B 5 1482 (1987)
  13. Knibb M G, Maksym P A Surf. Sci. 195 475 (1988)
  14. Larsen P K, Chadi D J Phys. Rev. B 37 8282 (1988)
  15. Farrell H H, Palmström C J J. Vac. Sci. Technol. B 8 903 (1990)
  16. Däweritz L, Hey R Surf. Sci. 236 15 (1990)
  17. Yamaguchi H, Horikoshi Y Phys. Rev. B 44 5897 (1991)
  18. Deparis C, Massies J J. Cryst. Growth 108 157 (1991)
  19. McCoy J M et al. Phys. Rev. B 48 4721 (1993); Surf. Sci. 261 29 (1992)
  20. Nörenberg H, Koguchi N Surf. Sci. 296 199 (1993)
  21. Van Bommel A J, Crombeen J E, van Oirschot T G Surf. Sci. 72 95 (1978)
  22. Drathen P, Ranke W, Jacobi K Surf. Sci. 77 L162 (1978); Ranke W, Jacobi K Prog. Surf. Sci. 10 1 (1981)
  23. Svensson S P, Nilsson P O, Andersson T G Phys. Rev. B 31 5272 (1985)
  24. Massies J et al. Surf. Sci. 99 121 (1980)
  25. Duszak R et al. J. Vac. Sci. Technol. B 10 1891 (1992)
  26. Larsen P K, Neave J H, Joyce B A J. Phys. C 14 167 (1981)
  27. Larsen P K et al. Phys. Rev. B 26 3222 (1982)
  28. Chiang T C et al. Phys. Rev. B 27 4770 (1983)
  29. Sauvage-Simkin M et al. Phys. Rev. Lett. 62 563 (1989)
  30. Chambers S A Surf. Sci. 261 48 (1992)
  31. Kamiya I et al. Phys. Rev. Lett. 68 627 (1992); Phys. Rev. B 46 15894 (1992)
  32. Frankel D J et al. J. Vac. Sci. Technol. B 5 1113 (1987)
  33. Kanisawa K et al. J. Cryst. Growth 115 348 (1991)
  34. Falta J et al. Phys. Rev. Lett. 69 3068 (1992); "Comments and reply" Phys. Rev. Lett. 70 3171 (1993)
  35. Pashley M D et al. Phys. Rev. Lett. 60 2176 (1988)
  36. Biegelsen D K et al. Phys. Rev. B 41 5701 (1990); Proc. SPIE 1186 136 (1990)
  37. Pashley M D, Haberern K W Phys. Rev. Lett. 67 2697 (1991); Pashley M D et al. Phys. Rev. B 48 4612 (1993)
  38. Heller E J, Zhang Z Y, Lagally M G Phys. Rev. Lett. 71 743 (1993); Heller E J, Lagally M G Appl. Phys. Lett. 60 2675 (1992)
  39. Wassermeier M et al. Surf. Sci. Lett. 278 L147 (1992); Bressler-Hill V et al. J. Vac. Sci. Technol. B 10 1881 (1992)
  40. Gallagher M C, Prince R H, Willis R F Surf. Sci. 275 31 (1992)
  41. Zhou J M et al. Appl. Phys. Lett. 64 583 (1994)
  42. Xue Q-K et al. J. Appl. Phys. 75 5201 (1994)
  43. Hashizume T et al. Phys. Rev. Lett. 73 2208 (1994)
  44. Chadi D J J. Vac. Sci. Technol. A 5 834 (1987)
  45. Qian G-X, Martin R M, Chadi D J Phys. Rev. B 38 7649 (1988)
  46. Ohno T Phys. Rev. Lett. 70 631 (1993)
  47. Northrup J E, Froyen S Phys. Rev. Lett. 71 2276 (1993)
  48. Northrup J E, Froyen S Phys. Rev. B 50 2015 (1994)
  49. Harrison W A J. Vac. Sci. Technol. 16 1492 (1979)
  50. Pashley M D Phys. Rev. B 40 10481 (1989)
  51. Horikoshi Y, Kawashima M, Yamaguchi H Jpn. J. Appl. Phys. 25 L868 (1986)
  52. Sakurai T et al. Prog. Surf. Sci. 33 3 (1990)
  53. Miwa Sh et al. Jpn. J. Appl. Phys. 32 1508 (1993)
  54. Bakhtizin R Z et al. Zh. Eksp. Teor. Fiz. 108 977 (1995) [Sov. Phys. JETP 81 534 (1995)]; Zh. Tekh. Fiz. 64 113 (1994)
  55. Ichimiya A, Kambe K, Lehmpfuhl G J. Phys. Soc. Jpn. 49 684 (1980); Horio Y, Ichimiya A Surf. Sci. 219 128 (1989)
  56. Feenstra R M, Stroscio J A, Tersoff J, Fein A P Phys. Rev. Lett. 58 1192 (1987)
  57. Ichimiya A Jpn. J. Appl. Phys. 22 176 (1983); 24 1365 (1985); Surf. Sci. 235 75 (1990)
  58. Larsen P K et al. Surf. Sci. 169 176 (1986)
  59. Lagally M G, in Methods of Experimental Physics (New York: Academic Press, 1985) p. 237; Henzler M Appl. Surf. Sci. 11/12 450 (1982)
  60. Karpov I et al. J. Vac. Sci. Technol. B 13 (5) 2041 (1995)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение