Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии

Р.З. Бахтизин^а, Т. Хашицуме^б, Ч.-К. Щуе^в, Т. Сакурай^в
^аБашкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
^бHitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
^вInstitute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Разработана уникальная установка для исследования in situ с атомным разрешением поверхности твердотельных структур, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), объединяющая в пределах единой вакуумной системы сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой МЛЭ. Возможности экспериментальной техники продемонстрированы на примере изучения атомных структур на поверхности GaAs(001), выращенной с помощью МЛЭ, в широком диапазоне отношений концентраций [As]/[Ga]. Регулируя величину As покрытия на поверхности GaAs(001), удалось детально исследовать фазы 2×4-α, β, γ, и фазу c(4×4). СТМ-изображения высокого разрешения показали, что фазы 2×4-α, β и γ в основе имеют одну и ту же единичную структуру во внешнем поверхностном слое, который состоит из двух димеров As и пары As-димерных вакансий. На основе наблюдений картин СТМ и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), а также результатов расчетов интенсивности дифракционных рефлексов в рамках динамической теории ДБЭО проведен анализ имеющихся структурных моделей фаз 2×4 и предложена новая структурная модель обогащенной As поверхности GaAs(001), которая согласуется с большинством опубликованных экспериментальных результатов.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309

PACS: 61.14.Hg, 61.16.Di, 68.55.Bd
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199711f.1227
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
Web of Science

000071302300006
Цитата: Бахтизин Р З, Хашицуме Т, Щуе Ч-К, Сакурай Т "Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии" УФН 167 1227–1241 (1997)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии
%A Р. З. Бахтизин
%A Т. Хашицуме
%A Ч. -К. Щуе
%A Т. Сакурай
%I Успехи физических наук
%D 1997
%J Усп. физ. наук
%V 167
%N 11
%P 1227-1241
%U https://ufn.ru/ru/articles/1997/11/f/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199711f.1227

English citation: Bakhtizin R Z, Hashizume T, Xue Q-K, Sakurai T “Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy” Phys. Usp. 40 1175–1187 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n11ABEH000309