Выпуски

 / 

2010

 / 

Март

  

Приборы и методы исследований


Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

,
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация

Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si(001) при низких температурах в процессе сверхвысоковакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что два основных вида hut-кластеров германия — пирамидальные и клиновидные — имеют разное атомное строение. Сделан вывод о том, что структурные переходы между пирамидальной и клиновидной формами кластеров невозможны. Впервые выявлены и исследованы производные виды кластеров — обелиски (или усечённые клинья) и сросшиеся клиновидные кластеры; установлено, что эти виды кластеров начинают доминировать в массивах при высокой степени покрытия. Показано, что однородность массивов определяется разбросом длин клиновидных кластеров. При низких температурах роста (360 °C) зарождение новых кластеров наблюдается в процессе роста массива при любой степени покрытия атомами Ge, кроме выделенной точки, в которой массивы более однородны, чем при бóльших и меньших значениях степени покрытия. При более высоких температурах (530 °C) после начальной стадии формирования массива зарождение кластеров не наблюдалось.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 68.37.Ef, 81.07.Ta, 81.15.Hi (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201003e.0289
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/3/e/
Цитата: Арапкина Л В, Юрьев В А "Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах" УФН 180 289–302 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arapkina L V, Yuryev V A “Classification of Ge hut clusters in arrays formed by molecular beam epitaxy at low temperatures on the Si(001) surfacePhys. Usp. 53 279–290 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201003e.0289

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение