RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1995

 / 

август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах

 а,  б
а Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли – Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E1 и E2, а также один донорный ε1. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C1 для акцепторного уровня E1. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E1 оказывается расположенным в окрестности E1 \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C1 \lesssim 0,1. В случае кремния E1 \backsimeq 0,4 эВ, C1 \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C1, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

Текст pdf (680 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099
PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199508b.0887
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/
A1995TF94900002
Цитата: Шикин В Б, Шикина Ю В "Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах" УФН 165 887–917 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shikin V B, Shikina Yu V “Charged dislocations in semiconductor crystals” Phys. Usp. 38 845–875 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099

Список литературы (66) Статьи, ссылающиеся на эту (25) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  2. Н.А. Тяпунина, Э.П. Белозерова «Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов» УФН 156 683–717 (1988)
  3. В.Б. Шикин «Неустойчивость и перестройки заряженной поверхности жидкости» УФН 181 1241–1264 (2011)
  4. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001)
  5. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» УФН 145 3–50 (1985)
  6. В.Б. Шикин «Подвижность зарядов в жидком, твердом и плотном газообразном гелии» УФН 121 457–497 (1977)
  7. М.Д. Франк-Каменецкий, В.В. Аншелевич, А.В. Лукашин «Полиэлектролитная модель ДНК» УФН 151 595–618 (1987)
  8. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» УФН 178 139–169 (2008)
  9. А.И. Жакин «Электрогидродинамика заряженных поверхностей» УФН 183 153–177 (2013)
  10. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» УФН 162 (6) 29–79 (1992)
  11. М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» УФН 175 705–733 (2005)
  12. Е.Г. Максимов, В.И. Зиненко, Н.Г. Замкова «Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов» УФН 174 1145–1170 (2004)
  13. А.Л. Суворов «Автоионная микроскопия радиационных дефектов в монокристаллах» УФН 101 21–52 (1970)
  14. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх «Квазидвумерные дихалькогениды переходных металлов: структура, синтез, свойства и применение» УФН 188 3–30 (2018)
  15. М.И. Шлиомис «Магнитные жидкости» УФН 112 427–458 (1974)
  16. Дж. Берналь, Р. Фаулер «Структура воды и ионных растворов» УФН 14 586–644 (1934)
  17. Д.Ф. Алферов, Ю.А. Башмаков, П.А. Черенков «Излучение релятивистских электронов в магнитном ондуляторе» УФН 157 389–436 (1989)
  18. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  19. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  20. В.А. Матвеев, В.А. Рубаков и др. «Несохранение барионного числа в экстремальных условиях» УФН 156 253–295 (1988)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение