Выпуски

 / 

1988

 / 

Декабрь

  

Обзоры актуальных проблем


Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов

Обзор теоретических и экспериментальных работ по заряженным дислокациям в щелочногалоидных кристаллах. Описана тонкая структура краевой дислокации с дефектами на линии дислокации. Дается последовательное изложение теории стационарной заряженной дислокации от рассмотрения ее в виде бесконечно длинной заряженной нити до учета тонкой структуры дислокационной линии. Изложены феноменологические модели, рассматривающие заряд на движущейся дислокации. Рассмотрены силы, действующие на дислокацию, и особенности ее движения при приложении внешней механической нагрузки и электрического поля. Описаны прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты в кристалле, содержащем подвижные заряженные дислокации. При изложении экспериментальных работ особое внимание уделено исследованиям, позволяющим дать количественную оценку линейной плотности заряда на дислокации. Ил. 13. Библиогр. ссылок 116

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Bb, 61.72.Hh, 72.50.+b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0156.198812c.0683
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1988/12/c/
Цитата: Тяпунина Н А, Белозерова Э П "Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов" УФН 156 683–717 (1988)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tyapunina N A, Belozerova É P “Charged dislocations and properties of alkali halide crystalsSov. Phys. Usp. 31 1060–1084 (1988); DOI: 10.1070/PU1988v031n12ABEH005660

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение