RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1995

 / 

Август

←  →

Обзоры актуальных проблем


Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах

 а,  б
а Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли-Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E1 и E2, а также один донорный ε1. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C1 для акцепторного уровня E1. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E1 оказывается расположенным в окрестности E1 \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C1 \lesssim 0,1. В случае кремния E1 \backsimeq 0,4 эВ, C1 \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C1, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

Текст pdf (680 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099
PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199508b.0887
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/
A1995TF94900002
Цитата: Шикин В Б, Шикина Ю В "Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах" УФН 165 887–917 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shikin V B, Shikina Yu V “Charged dislocations in semiconductor crystals” Phys. Usp. 38 845–875 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099

Список литературы (66) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (24) Похожие статьи (20)

  1. Gallagher C J Phys. Rev. 88 721 (1952)
  2. Shockley W Phys. Rev. 91 228 (1953), [abstract]
  3. Read W T Jr Philos. Mag. 45 775 (1954)
  4. Read W T Jr Philos. Mag. 45 1119 (1954)
  5. Pearson G L, Read W T Jr, Morin F L Phys. Rev. 93 666 (1954)
  6. Logan R A, Pearson G L, Kleinman D A J. Appl. Phys. 30 885 (1959)
  7. Labusch R, Schroter W Dislocations in Solids (Other Effects of Dislocations. Disclinations) 5 (Ed. F R N Nabarro) (Amsterdam: North-Holland) Chap. 20 (1980) p. pp 127-192
  8. Ossipyan Yu A Sov. Sci. Rev. A 4 219 (1982)
  9. Matare H F J. Appl. Phys. 56 2605 (1984)
  10. Ossipyan Yu A, Petrenko V F, Zaretskii A V Adv. Phys. 35 115 (1986)
  11. Bonch-Bruevich V L, Kalashnikov S T Fizika Poluprovodnikov (Physics of Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1977)
  12. Bonch-Bruevich V L, Glasko V B Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 3 39 (1961); Bonch-Bruevich V L, Glasko V B Sov. Phys. Solid State 3 26 (1961)
  13. Kveder V V, Kravchenko V Ya, Mchedlidze T R, et al Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 43 202 (1986); Kveder V V, Kravchenko V Ya, Mchedlidze T R, et al JETP Lett. 43 255 (1986)
  14. Kveder V V, Mchedlidze T R, Osip'yan Yu A, Shalynin A I Zh. Eksp. Teor. Fiz. 93 1470 (1987); Kveder V V, Mchedlidze T R, Osip'yan Yu A, Shalynin A I Sov. Phys JETP 66 838 (1987)
  15. Kveder V V, Mchedlidze T R, Osip'yan Yu A, Shalynin A I Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 32 2224 (1990); Kveder V V, Mchedlidze T R, Osip'yan Yu A, Shalynin A I Sov. Phys. Solid State 32 1292 (1990)
  16. Landauer R W Phys. Rev. 94 1386 (1954)
  17. Bonch-Bruevich V L Fiz, Tverd. Tela (Leningrad) 3 47 (1961); Bonch-Bruevich V L Sov. Phys. Solid State 3 34 (1961)
  18. Emtage P R Phys. Rev. 163 865 (1967)
  19. Claesson A Phys. Status Solidi B 61 599 (1974)
  20. Winter S Phys. Status Solidi B 79 637 (1977)
  21. Nabutovskii V M, Shapiro B Ya Zh. Eksp. Teor. Fiz. 75 948 (1978); Nabutovskii V M, Shapiro B Ya Sov. Phys. JETP 48 480 (1978)
  22. Voronov V P, Kosevich A M Fiz. Nizk. Temp. 6 371 (1980); Voronov V P, Kosevich A M Sov. J. Low Temp. 6 177 (1980)
  23. Kolyubakin A I, Osip'yan Yu A, Shevchenko S A Zh. Eksp. Teor. Fiz. 77 975 (1979); Kolyubakin A I, Osip'yan Yu A, Shevchenko S A Sov. Phys. JETP 50 491 (1979)
  24. Kolyubakin A I, Shevchenko S A Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 30 208 (1979); Kolyubakin A I, Shevchenko S A JETP Lett. 30 189 (1979)
  25. Schroter W Phys. Status Solidi 21 211 (1967)
  26. Osip'yan Yu A, Shevchenko S A Zh. Eksp. Teor. Fiz. 65 698 (1973); Osip'yan Yu A, Shevchenko S A Sov. Phys. JETP 38 345 (1974)
  27. Kolyubakin A I, Shevchenko S A Phys. Status Solidi A 63 677 (1981)
  28. Grazhulis V A, Kveder V V, Mukhina V Yu Phys. Status Solidi A 43 407 (1977)
  29. Kamke E Differentialgleichungen, Losungsmethoden und Losungen Vol. I Gewohnliche Differentialgleichungen (Leipzig: Akademische Verlagsgesellschaft, 1942); Kamke E Differentialgleichungen, Losungsmethoden und Losungen Vol. I Gewohnliche Differentialgleichungen (New York: Chelsea, 1971)
  30. Glazman L I, Suris R A Fiz. Tekh. Poluprovodn. 20 1769 (1986); Glazman L I, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 20 1109 (1986)
  31. Shikin V B, Shikina Yu V Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25 2225 (1991); Shikin V B, Shikina Yu V Sov. Phys. Semicond. 25 1341 (1991)
  32. Shikina Yu V, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26 987 (1992); Shikina Yu V, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 26 553 (1992)
  33. Bazhenov A, Shikina N, Shikina Yu Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 34 789 (1992); Bazhenov A, Shikina N, Shikina Yu Sov. Phys. Solid State 34 422 (1992)
  34. Vul B M, Zavaritskaya E I Zh. Eksp. Teor. Fiz 76 1089 (1979); Vul B M, Zavaritskaya E I Sov. Phys. JETP 49 551 (1979)
  35. Zavaritskaya E I Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 40 116 (1984); Zavaritskaya E I Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 41 231 (1985); Zavaritskaya E I JETP Lett. 40 864 (1984); Zavaritskaya E I JETP Lett. 41 279 (1985)
  36. Landwehr G, Handler P J. Phys. Chem. Solids 23 891 (1962)
  37. Gergel' V A, Suris R A Fiz, Tekh. Poluprovodn. 16 1925 (1982); Gergel' V A, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 16 1243 (1982)
  38. Hirth J P, Lothe J Theory of Dislocations (New York: Wiley, 1968)
  39. Bir G L, Pikus G E Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Jerusalem: Israel Program for Scientific Translations, 1975); Bir G L, Pikus G E Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (New York: Wiley, 1975)
  40. Baranskii P I, Kolomoets V V Phys. Status Solidi B 45 K55 (1971)
  41. Shikina Yu V, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28 675 (1994); Shikina Yu V, Shikin V B Semiconductors 28 403 (1994)
  42. Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov E B, Yarykin N A Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12 273 (1978); Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov E B, Yarykin N A Sov. Phys. Semicond. 12 157 (1978)
  43. Koveshnikov S V, Feklisova O V, Yakimov E B, Yarykin N A Phys. Status Solidi A 127 67 (1991)
  44. Shikina Yu V, Shikina N I Fiz. Tekh. Poluprovodn., (in press)
  45. Eremenko V G, Farber B Ya, Yakimov E B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 17 1313 (1983); Eremenko V G, Farber B Ya, Yakimov E B Sov. Phys. Semicond. 17 831 (1983)
  46. Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov E B Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 26 72 (1977); Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov E B JETP Lett. 26 65 (1977)
  47. Shklovski B I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin: Springer Verlag, 1984)
  48. Langer J S Ann. Phys. (New York) 54 258 (1969)
  49. Veliev Z A, Shikina N I, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 17 153 (1983); Veliev Z A, Shikina N I, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 17 97 (1983)
  50. Veliev Z A, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 19 858 (1985); Veliev Z A, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 19 528 (1985)
  51. Shikina Yu V, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 26 992 (1992); Shikina Yu V, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 26 556 (1992)
  52. Taylor W E, Odell N H, Fan H Y Phys. Rev. 88 867 (1952)
  53. Gol'dman E I, Zhdan A G Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10 1839 (1976); Gol'dman E I, Zhdan A G Sov. Phys. Semicond. 10 1098 (1976)
  54. Gol'dman E I, Gulyaev I B, Zhdan A G, Sandomirskii V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10 2089 (1976); Gol'dman E I, Gulyaev I B, Zhdan A G, Sandomirskii V B Sov. Phys. Semicond. 10 1244 (1976)
  55. McGonigal G C, Thomson D J, Shaw J G, Card H C Phys. Rev. B 28 5908 (1983)
  56. Shikina N I, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24 749 (1990); Shikina N I, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 24 471 (1990)
  57. Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov E B Zh. Eksp. Teor. Fiz. 69 990 (1975); Eremenko V G, Nikitenko V I, Yakimov Sov. Phys. JETP 42 503 (1975)
  58. Hess K J Diplomarbeit (Clausthal-Zellerfeld, Germany: University Press, 1989)
  59. Vinokur V M, Kravchenko V Ya Fiz. Tekh. Poluprovodn. 9 1346 (1975); Vinokur V M, Kravchenko V Ya Sov. Phys. Semicond. 9 887 (1975)
  60. Shikin V B, Shikina Yu V Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25 1065 (1991); Shikin V B, Shikina Yu V Sov. Phys. Semicond. 25 642 (1991)
  61. Ansel'm A I Introduction to Semiconductor Theory (Moscow: Mir, 1981); Ansel'm A I Introduction to Semiconductor Theory (Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, 1981)
  62. Jastrzebska M, Figielski T Phys. Status Solidi 7 K 101 (1964)
  63. Abakumov V N, Perel' V I, Yassievich I N Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12 3 (1978); Abakumov V N, Perel' V I, Yassievich I N Sov. Phys. Semicond. 12 (I) (1978)
  64. Shikina N I, Shikin V B Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24 749 (1990); Shikina N I, Shikin V B Sov. Phys. Semicond. 24 471 (1990)
  65. Shikin V B, Shikina N I Phys. Status Solidi A 108 699 (1988)
  66. Kveder V V, Osipyan Yu A, Schroter W, Zoth G Phys. Status Solidi A 72 701 (1982)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение