Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли-Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E₁ и E₂, а также один донорный ε₁. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C₁ для акцепторного уровня E₁. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E₁ оказывается расположенным в окрестности E₁ \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C₁ \lesssim 0,1. В случае кремния E₁ \backsimeq 0,4 эВ, C₁ \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C₁, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все) DOI: 10.3367/UFNr.0165.199508b.0887 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/ A1995TF94900002 Цитата: Шикин В Б, Шикина Ю В "Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах" УФН 165 887–917 (1995) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах AU Шикин, В. Б. AU Шикина, Ю. В. PB Успехи физических наук PY 1995 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 165 IS 8 SP 887-917 UR https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199508b.0887 English citation: Shikin V B, Shikina Yu V “Charged dislocations in semiconductor crystals” Phys. Usp. 38 845–875 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099