Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли-Рида. Модель содержит два акцепторных уровня E₁ и E₂, а также один донорный ε₁. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости C₁ для акцепторного уровня E₁. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в n и p состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень E₁ оказывается расположенным в окрестности E₁ \backsimeq 0,1 эВ над потолком валентной зоны, а емкость C₁ \lesssim 0,1. В случае кремния E₁ \backsimeq 0,4 эВ, C₁ \lesssim 0,1. Обращает на себя внимание малость емкости C₁, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw (все) DOI: 10.3367/UFNr.0165.199508b.0887 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/ A1995TF94900002 Цитата: Шикин В Б, Шикина Ю В "Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах" УФН 165 887–917 (1995) BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English %0 Journal Article %T Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах %A В. Б. Шикин %A Ю. В. Шикина %I Успехи физических наук %D 1995 %J Усп. физ. наук %V 165 %N 8 %P 887-917 %U https://ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/ %U https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199508b.0887 English citation: Shikin V B, Shikina Yu V “Charged dislocations in semiconductor crystals” Phys. Usp. 38 845–875 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n08ABEH000099