RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1994

 / 

март

←  →

Обзоры актуальных проблем


Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A2B6. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

Текст pdf (277 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012
PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/
A1994NH30100003
Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductors” Phys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012

Список литературы (47) Статьи, ссылающиеся на эту (45) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов «Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы» УФН 167 407–412 (1997)
  2. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» УФН 167 17–22 (1997)
  3. В.Ю. Аристов «Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства» УФН 171 801–826 (2001)
  4. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган «Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью» УФН 96 633–672 (1968)
  5. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем» УФН 177 619–638 (2007)
  6. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
  7. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  8. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  9. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  10. Г.Л. Беленький, В.Б. Стопачинский «Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6» УФН 140 233–270 (1983)
  11. В.И. Матвеев, Э.С. Парилис «Встряска при электронных переходах в атомах» УФН 138 573–602 (1982)
  12. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» УФН 120 337–362 (1976)
  13. Б. Гудден «Электропроводность электронных полупроводников» УФН 15 703–738 (1935)
  14. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» УФН 68 247–260 (1959)
  15. В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» УФН 56 111–130 (1955)
  16. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
  17. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» УФН 181 233–268 (2011)
  18. Б.А. Надыкто «Полуэмпирическая модель расчета энергий состояний многоэлектронных атомов и ионов» УФН 163 (9) 37–74 (1993)
  19. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
  20. В.Д. Кулаковский, В.Г. Лысенко, В.Б. Тимофеев «Экситонные молекулы в полупроводниках» УФН 147 3–47 (1985)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение