Выпуски

 / 

1994

 / 

Март

  

Обзоры актуальных проблем


Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A2B6. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

Текст pdf (277 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012
PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/
A1994NH30100003
Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductorsPhys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012

Список литературы (47) Статьи, ссылающиеся на эту (38) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов «Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы» 167 407–412 (1997)
  2. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» 167 17–22 (1997)
  3. В.Ю. Аристов «Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства» 171 801–826 (2001)
  4. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган «Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью» 96 633–672 (1968)
  5. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» 181 233–268 (2011)
  6. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» 152 583–622 (1987)
  7. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем» 177 619–638 (2007)
  8. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  9. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» 68 247–260 (1959)
  10. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» 175 735–744 (2005)
  11. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» 118 611–639 (1976)
  12. В.С. Вавилов «Полупроводниковые преобразователи энергии излучений» 56 111–130 (1955)
  13. В.С. Вавилов «Опыты по радиолокации Луны» 39 359–370 (1949)
  14. Б.М. Смирнов «Процессы в расширяющемся и конденсирующемся газе» 164 665–703 (1994)
  15. В.П. Милантьев «Явление циклотронного авторезонанса и его применения» 167 3–16 (1997)
  16. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Ю.А. Кузнецов «Десорбция, стимулированная электронными возбуждениями» 158 389–420 (1989)
  17. Е.Г. Бережко, Г.Ф. Крымский «Ускорение космических лучей ударными волнами» 154 49–91 (1988)
  18. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» 120 337–362 (1976)
  19. А.П. Пятаков, А.К. Звездин «Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики» 182 593–620 (2012)
  20. В.С. Барашенков, А.С. Ильинов и др. «Взаимодействие частиц и ядер высоких и сверхвысоких энергий с ядрами» 109 91–136 (1973)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение