RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1994

 / 

Март

←  →

Обзоры актуальных проблем


Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A2B6. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

Текст pdf (277 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012
PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/
A1994NH30100003
Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductors” Phys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012

Список литературы (47) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (39) Похожие статьи (20)

  1. Shockley W Proceedings of the Prague Conference on Semiconductor Physics: J. Phys. Chem. Sol. suppl. 1 (1961); Translated into Russian, Shockley W Usp. Fiz Nauk 77 161 (1962)
  2. Bonch-Bruevich V L, Kalashnikov S G Fizika Poluprovodnikov (Physics of Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1977); Bonch-Bruevich V L, Kalashnikov S G Fizika Poluprovodnikov (Physics of Semiconductors) 2nd ed. (Moscow: Nauka, 1977)
  3. Milvidskii M G, Osvenskii V B Strukturnye Defecty v Monokristallakh Poluprovodnikov (Structural Defects in Semiconducting Single Crystals) (Moscow: Metallurgiya, 1984)
  4. Landolt-Börnstein Zahlenwerten und Funktionen in Naturwissenschaften und Technik. Neue Serie Vol. Band 17 (Ed. O Madelung); Landolt-Börnstein Halbleiter (Eds M Schulz, H Weiss) (Berlin: Springer, 1982)
  5. Landolt-Börnstein Fizika Soedinenii A2B6 (Physics of A2B6 Compounds, Eds A N Georgobiani, M K Sheinkman) (Moscow: Nauka, 1986) p. 320
  6. Antonov-Romanovskii V V Kinetika Fotolyuminestsentsii Kristallofosforov (Kinetics of Photoluminescence in Crystal Phosphors) (Moscow: Nauka, 1966) p. 324
  7. Queisser H Kristalline Krisen (München: Piper, 1985) p. 350
  8. Losev O V Te legrafiya i Telefoniya (Telegraph and Telephone, (18)) 61 (1923); Losev O V Philos. Mag. 7 1024 (1928)
  9. Bergh A A, Dean P J Light Emitting Diodes (Oxford: Clarendon Press, 1976); Translated into Russian, Bergh A A, Dean P J Svetodiody Ed. A E Yunovich (Moscow: Mir, 1979) p. 686
  10. Vavilov V S, Kekelidze N P, Smirnov L S Deistvie Izluchenii na Poluprovodniki (Radiation Effects in Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1988)
  11. Basov N G, Krokhin O N, Popov Yu M Usp. Fiz. Nauk 72 ((2)) 161 (1960); Basov N G, Krokhin O N, Popov Yu M Sov. Phys. Usp. 3 ((5)) 702 (1960)
  12. Antoncik E Czech. Ψ as. Fis. 765 1 (1957)
  13. Broudy J, Muray J The Physics of Microfabrication (New York, London: Plenum Press, 1982); Translated into Russian, Broudy J, Muray J Fizicheskie Osnovy Mikrotekhnologii (Ed. A V Shalnov) (Moscow: Mir, 1985) p. 494
  14. The Properties of Natural and Synthetic Diamond (Ed. J Field) (London: Academic Press, 1992)
  15. Bernholz J et al Proceedings of the XX International Conference on Semiconductor Physics, Thessaloniki, Greece Vol. Vol. 1 (1990) p. 332
  16. Prins J Mater. Sci. Rep. 7 ((7-8)) 271 (1992)
  17. Vavilov V S Usp. Fiz. Nauk 164 ((4)) 429 (1994)
  18. van Roosbroeck W, Shockley W Phys. Rev. 94 1558 (1954)
  19. Modern Problems in Condensed Matter Sciences Vol. Vol. 16 (Amsterdam: North-Holland, 1986)
  20. Pankove J I Optical Processes in Semiconductors (Englewood Cliffs, N. J.: Prentice-Hall, 1971); Translated into Russian, Pankove J I Opticheskie Protsessy v Poluprovodnikakh (Eds Zh I Alferov, V S Vavilov) (Moscow: Mir, 1973)
  21. Galkin G N Tr. Fiz. Inst. Akad. Nauk SSSR 127 3 (1981), (based on Doctoral Thesis)
  22. Blinov L M, Vavilov V S, Galkin G N Fiz Tverdogo Tela 9 884 (1967); Blinov L M, Vavilov V S, Galkin G N Sov. Solid State Phys. (1967)
  23. Vavilov V S, Gippius A A, Konorova E A Elektronnye i Opticheskie Protsessy v Almaze (Electron and Optical Processes in Diamond) (Moscow: Nauka, 1985)
  24. Sheinkman M K and Korsunskaya N E in Ref. [5] ch. 4
  25. Beer K, Borchardt W Fortschr. Phys. 7 184 (1953)
  26. Osip'yan Yu A Savchenko in Ref [5] ch. 2
  27. "Defects in Semiconductors-16." Proceedings of the 16th Conference (Lehigh Univ. USA: Trans Tech Publications, 1991)
  28. Sakalas A, Janushkevichus Z Tochechnye Defekty v Poluprovodnikovykh Soedineniyakh (Point Defects in Semiconductor Compounds) (Vilnius: Mokslas, 1988) p. 155
  29. Ryvkin S M Fotoelektricheskie Yavleniya v Poluprovodnikakh (Photoelectric Phenomena in Semiconductors) (Moscow: Fizmatgiz, 1963)
  30. Gippius A A Doctoral Thesis Fiz. Inst. Akad. Nauk SSSR (Moscow: FIAN, 1985)
  31. Corbett J W, Bourgoin J-C Semiconductors and Molecular Crystals Point Defects in Solids Vol. Vol. 2: (Eds J H Crawford, Slifkin) (New York, London: Plenum Press, 1975); Translated into Russian, Corbett J W, Bourgoin J-C Tochechnye Defekty v Poluprovodnikakh (Eds B I Boltaks, T V Mashovets) (Moscow: Mir, 1979)
  32. Vavilov V S, Kiselev V F, Mukashev B N Defekty v Kremniiina Ego Poverkhnosti (Defects in the Bulk and at the Surface of Silicon) (Moscow: Nauka, 1990)
  33. Gippius A A, Vavilov V S "Trudy VII Mezhdunarodnoi Konferentsii "Ionnaya Implantatsiya v Poluprovodnikakh", Vilnius, 1983" Proceedings of the VII International Conference "Ion Implantation in Semiconductors", Vilnius, 1983 (Vilnius: Vilnius State University, 1985) p. 59
  34. Seitz F Discuss. Faraday Soc. 5 271 (1949); Translated into Russian, Seitz F Deistvie Izluchenii na Poluprovodniki (Radiation Effects in Semiconductors, Ed. S M Ryvkin) (Moscow: Inostr. Lit., 1954) p. 9
  35. Emtsev V V, Mashovets T B Primesii Tochechnye Defekty v Poluprovodnikakh (Impurities and Point Defects in Semiconductors) (Moscow: Radio i Svyaz, 1982)
  36. Vavilov V S, Kiv A E, Niyazova O R Mekhanizmy Obrazovaniya i Migratsii Defektov v Poluprovodnikakh (Mechanisms of Defect Formation and Migration in Semiconductors) (Moscow: Nauka, 1981)
  37. Vodakov Yu A et al Fiz. Tekhn. Poluprovod. 26 ((11)) 1857 (1992)
  38. Cullis A, Canham L Nature (London) 353 335 (1991)
  39. Cullis A, Canham L, Dosser O MRS FallMeeting. Abstracts of Symposium A A (Boston) p. 4
  40. Kachalov M A et al "Rossiiskaya Konferentsiya po Fizike Poluprovodnikov, Nizhnii Novgorod, 1993, Tezisy Dokladov" All-Russia Conference on Semiconductor Physics, Nizhny Novgorod Vol. Vol. 2 (1993) p. 257, Abstracts
  41. Bassons E in Ref. [39] p. 4
  42. Petrova-Koch V et al in Ref. [40] p. 6
  43. Asnin V M, Stepanov V I in Ref. [39] p. 7
  44. Michel J, Kimmerling L et al in Ref. [39] p. 7
  45. Yassievich I N in Ref. [40] p. 9
  46. Fuchs H in Ref. [40] p. 12
  47. Vikulin J M, Stafeev V I Fizika Poluprovodnikovykh Priborov (Physics of Semiconductor Devices) (Moscow: Radio i Svyaz, 1990)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение