Выпуски

 / 

1994

 / 

Март

  

Обзоры актуальных проблем


Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A2B6. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

Текст pdf (277 Кб)
PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/
A1994NH30100003
Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductorsPhys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012

Список литературы (47) Статьи, ссылающиеся на эту (38) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Nowak E, Szybowicz M et al Thin Solid Films 788 140154 (2024)
  2. Abouelnaga A M, Mansour A M et al International Journal of Biological Macromolecules 260 129545 (2024)
  3. Arif S RSC Adv. 13 7352 (2023)
  4. Allouche A, Bekhti S A et al Solid State Communications 366-367 115162 (2023)
  5. Boudad L, Taibi M et al Materials Today: Proceedings 58 1028 (2022)
  6. Teker K, Hocaoglu A, Yildirim M A Appl. Phys. B 127 (1) (2021)
  7. Nikitaev Yu A, Kuznetsov G P et al Dokl. Phys. 66 88 (2021)
  8. Oreshonkov A S, Azarapin N O et al Journal of Physics and Chemistry of Solids 148 109670 (2021)
  9. El N A M, Mansour A M et al J Inorg Organomet Polym 30 3084 (2020)
  10. Boudad L, Taibi M et al J Mater Sci: Mater Electron 31 354 (2020)
  11. Lebedev A A, Ivanov P A et al Phys.-Usp. 62 754 (2019)
  12. Kolodin A N, Bulavchenko A I Applied Surface Science 463 820 (2019)
  13. Rasaki S A, Zhang B et al Progress in Solid State Chemistry 50 1 (2018)
  14. Najar F A, Vakil G B, Want B Journal of Elec Materi 47 6411 (2018)
  15. Degoda V Ya, Alizadeh M et al Advances in Condensed Matter Physics 2018 1 (2018)
  16. Shkir M, AlFaify S et al Physica B: Condensed Matter 508 41 (2017)
  17. Roecker C, Schirato R 2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC), (2017) p. 1
  18. Kulikov V D, Yakovlev V Yu Russ Phys J 59 744 (2016)
  19. Kiselyova N N, Dudarev V A, Korzhuyev M A Inorg. Mater. Appl. Res. 7 34 (2016)
  20. Shkir M, Yahia I S et al Journal of Molecular Structure 1110 83 (2016)
  21. Bulavchenko A I, Kolodin A N et al Russ. J. Phys. Chem. 90 1034 (2016)
  22. Senokosov E A, Chukita V I et al Inorg Mater 51 5 (2015)
  23. Bekasova O D, Revina A A et al Radiation Physics and Chemistry 92 87 (2013)
  24. Quiroz M A, Bandala E R Synthetic Diamond Films 1 (2011) p. 57
  25. Kumar P, Tripathi V K 107 (10) (2010)
  26. Fan Chao‐Lei, Cheng Xin‐Lu, Zhang H Physica Status Solidi (b) 246 77 (2009)
  27. Novoselova I A, Fedorishena E N, Panov E V J. Superhard Mater. 29 24 (2007)
  28. Novikov G F, Radychev N A Russ Chem Bull 56 890 (2007)
  29. Wrachtrup J, Jelezko F J. Phys.: Condens. Matter 18 S807 (2006)
  30. Kushnir O S, Bevz O A et al Physica Status Solidi (b) 238 92 (2003)
  31. CERBANIC G, BURDA I et al Mod. Phys. Lett. B 17 49 (2003)
  32. Komashchenko A V, Komashchenko V N et al Semiconductors 36 286 (2002)
  33. Ullrich B, Schroeder R IEEE J. Quantum Electron. 37 1363 (2001)
  34. Ullrich B, Schroeder R, Sakai H Semicond. Sci. Technol. 16 L89 (2001)
  35. Pleskov Yu V Russ. Chem. Rev. 68 381 (1999)
  36. Vavilov V S Phys.-Usp. 40 15 (1997)
  37. Vorobiev Y V, Zakharchenko R V et al Proceedings of Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, (1996) p. 307
  38. Vavilov V S Wide Band Gap Electronic Materials Chapter 37 (1995) p. 373

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение