RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1976

 / 

июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

,

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductor” Sov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

Статьи, ссылающиеся на эту (39) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» УФН 120 337–362 (1976)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  4. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
  5. В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник – электролит» УФН 158 255–291 (1989)
  6. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Диссоциативное прилипание электрона к молекуле» УФН 147 459–484 (1985)
  7. М.И. Клингер «Низкотемпературные свойства и локализованные электронные состояния стекол» УФН 152 623–652 (1987)
  8. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  9. Ю.А. Изюмов, Э.З. Курмаев «Новый класс высокотемпературных сверхпроводников в FeAs-cистемах» УФН 178 1307–1334 (2008)
  10. Б.А. Клумов «Универсальные структурные свойства трёхмерных и двумерных расплавов» УФН 193 305–330 (2023)
  11. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  12. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» УФН 145 3–50 (1985)
  13. Р.О. Зайцев, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников «Основные представления о переходах металл–диэлектрик в соединениях 3d-металлов» УФН 148 603–636 (1986)
  14. Б.Г. Краков, Э.С. Парилис «Квазимолекулы» УФН 157 477–512 (1989)
  15. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  16. В.В. Зосимов, Л.М. Лямшев «Фракталы в волновых процессах» УФН 165 361–402 (1995)
  17. С.Г. Овчинников «Экзотическая сверхпроводимость и магнетизм в рутенатах.» УФН 173 27–50 (2003)
  18. Г.М. Гусев, З.Д. Квон и др. «ТермоЭДС в топологических изоляторах и двумерных полуметаллах на основе HgTe» УФН 196 2–27 (2026)
  19. Г.Н. Кулипанов, А.Н. Скринский «Использование синхротронного излучения: состояние и перспективы» УФН 122 369–418 (1977)
  20. В.М. Агранович «Кристаллооптика поверхностных поляритонов и свойства поверхности» УФН 115 199–237 (1975)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение