RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1976

 / 

Июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

,

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductor” Sov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

Статьи, ссылающиеся на эту (36) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» УФН 120 337–362 (1976)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  4. В.С. Вавилов, Е.А. Конорова «Полупроводниковые алмазы» УФН 118 611–639 (1976)
  5. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  6. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  7. Д.И. Хомский «Проблема промежуточной валентности» УФН 129 443–485 (1979)
  8. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  9. Э.Л. Нагаев «Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники» УФН 117 437–492 (1975)
  10. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  11. В.Г. Грачев, М.Ф. Дейген «Двойной электронно-ядерный резонанс примесных центров в неметаллических кристаллах» УФН 125 631–663 (1978)
  12. В.Л. Калихман, Я.С. Уманский «Халькогениды переходных металлов со слоистой структурой и особенности заполнения их бриллюэновой зоны» УФН 108 503–528 (1972)
  13. В.С. Антонов, В.С. Летохов, А.Н. Шибанов «Лазерная резонансная фотоионизационная спектроскопия молекул» УФН 142 177–217 (1984)
  14. Л.А. Фальковский «Физические свойства висмута» УФН 94 3–41 (1968)
  15. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  16. М.И. Клингер «Низкотемпературные свойства и локализованные электронные состояния стекол» УФН 152 623–652 (1987)
  17. П.В. Елютин «Проблема квантового хаоса» УФН 155 397–442 (1988)
  18. Б.Г. Краков, Э.С. Парилис «Квазимолекулы» УФН 157 477–512 (1989)
  19. В.В. Анисович «Легчайший скалярный глюбол» УФН 168 481–502 (1998)
  20. В.С. Попов «Туннельная и многофотонная ионизация атомов и ионов в сильном лазерном поле (теория Келдыша)» УФН 174 921–951 (2004)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение