Выпуски

 / 

1976

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной
AU Берченко, Н. Н.
AU Пашковский, М. В.
PB Успехи физических наук
PY 1976
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 119
IS 6
SP 223-255
UR https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197606b.0223

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductorSov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение