Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductor” Sov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

Статьи, ссылающиеся на эту (36) ↓ Похожие статьи (20)

Davidovich M V Jetp Lett. 119 186 (2024)
Savchenko M L, Kozlov D A et al J. Phys.: Condens. Matter 35 345302 (2023)
Chmyr’ S N, Kazakov A S et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 87 805 (2023)
Kazakov A S, Galeeva A V et al Jetp Lett. 113 542 (2021)
Yakovkin I N Ukr. J. Phys. 66 630 (2021)
Otteneder M, Sacré D et al Physica Status Solidi (b) 258 (1) (2021)
Kazakov A S, Galeeva A V et al Sci Rep 11 (1) (2021)
Galeeva A V, Kazakov A S et al Semiconductors 54 1064 (2020)
Hubmann S, Budkin G V et al Phys. Rev. Materials 4 (4) (2020)
Mantion S, Avogadri C et al Phys. Rev. B 102 (7) (2020)
Kazakov A S, Galeeva A V et al Jetp Lett. 112 246 (2020)
de Carvalho L C, Silveira O J, Alves H W L Physica Status Solidi (b) 256 (12) (2019)
Gospodarič J, Dziom V et al Phys. Rev. B 99 (11) (2019)
Krishnan B, Shaji S et al Semiconductors Chapter 7 (2019) p. 397
Rogalev V A, Reis F et al Phys. Rev. B 100 (24) (2019)
Mauri A, Polini M Phys. Rev. B 100 (16) (2019)
Savchenko M L, Kozlov D A et al Phys. Rev. B 99 (19) (2019)
Galeeva A V, Artamkin A I et al Jetp Lett. 106 162 (2017)
Hills R D Y, Kusmartseva A, Kusmartsev F V Phys. Rev. B 95 (21) (2017)
Kvon Z D, Olshanetsky E B et al Advances in Semiconductor Nanostructures (2017) p. 29
Šopík Břetislav, Kailasvuori Ja, Trushin M Phys. Rev. B 89 (16) (2014)
De Beule Ch, Partoens B Phys. Rev. B 87 (11) (2013)
Kovalyuk T T, Maryanchuk P D et al Russ Phys J 56 831 (2013)
Kvon Z D, Olshanetsky E B et al 37 202 (2011)
Olshanetsky E B, Kvon Z D et al Jetp Lett. 93 526 (2011)
Olshanetsky E B, Kvon Z D et al Jetp Lett. 89 290 (2009)
Kvon Z D, Olshanetsky E B et al 35 6 (2009)
Cannata F, Ferrari L Phys. Rev. B 44 8599 (1991)
Rosenberg Z, Genossar J J. Phys. D: Appl. Phys. 16 661 (1983)
Ivanov‐Omskii V I, Sh M A et al Physica Status Solidi (b) 119 159 (1983)
Dubowski J J, Dietl T et al Journal of Physics and Chemistry of Solids 42 351 (1981)
Gortel Z W, Szymański J, Świerkowski L Physica Status Solidi (b) 103 429 (1981)
Szlenk K, Dziuba Z, Galazka R R Physica Status Solidi (b) 91 255 (1979)
McKnight S W, Amirtharaj P M, Perkowitz S Infrared Physics 18 919 (1978)
Joós B, Das A K, Wallace P R Phys. Rev. B 18 5693 (1978)
Dubowski J J Physica Status Solidi (b) 85 663 (1978)