В основу обзора положен доклад, прочитанный 13 февраля 1969 г. на сессии Отделения общей и прикладной физики АН СССР. Статья публикуется также на английском языке в международном журнале "Low Temperature Physics".

Предсказаны и обнаружены различные типы электронных переходов в сильных магнитных полях, заключающихся в качественном изменении энергетического спектра электронов (а следовательно, и свойств вещества) при определенных критических значениях магнитного поля. Объектом исследования являются металлические и полупроводниковые сплавы Bi – Sb в области концентраций Sb до 8 ат.% и от 8 до 15,8 ат.% соответственно. У монокристаллических образцов измерялось поперечное и продольное магнитосопротивление при различных ориентациях тока и поля относительно кристаллических осей. Измерения проведены в магнитных полях до 600 кэ при температурах 2–77° К. Обнаружены следующие электронные переходы в магнитном поле: а) переход из полупроводникового в металлическое состояние, б) переход из металлического в полупроводниковое состояние, в) переход из полупроводникового состояния в состояние с аномально малой щелью между зонами, названное "квазиметаллическим", г) переход полупроводник – "квазиметалл" – полупроводник, д) переход полупроводник – "квазиметалл" – полупроводник – металл. Табл. 2, иллюстраций 25, библиографических ссылок 35.