В основу обзора положен доклад, прочитанный 13 февраля 1969 г. на сессии Отделения общей и прикладной физики АН СССР. Статья публикуется также на английском языке в международном журнале ’Low Temperature Physics’.

Предсказаны и обнаружены различные типы электронных переходов в сильных магнитных полях, заключающихся в качественном изменении энергетического спектра электронов (а следовательно, и свойств вещества) при определенных критических значениях магнитного поля. Объектом исследования являются металлические и полупроводниковые сплавы Bi-Sb в области концентраций Sb до 8 ат.% и от 8 до 15,8 ат.% соответственно. У монокристаллических образцов измерялось поперечное и продольное магнитосопротивление при различных ориентациях тока и поля относительно кристаллических осей. Измерения проведены в магнитных полях до 600 кэ при температурах 2-77° К. Обнаружены следующие электронные переходы в магнитном поле: а) переход из полупроводникового в металлическое состояние, б) переход из металлического в полупроводниковое состояние, в) переход из полупроводникового состояния в состояние с аномально малой щелью между зонами, названное «квазиметаллическим», г) переход полупроводник-’квазиметалл’-полупроводник, д) переход полупроводник-’квазиметалл’-полупроводник-металл. Табл. 2, иллюстраций 25, библиографических ссылок 35.

RT Journal
T1 Электронные переходы в сильных магнитных полях
A1 Брандт,Н.Б.
A1 Свистова,Е.А.
PB Успехи физических наук
PY 1970
FD 10 Jun, 1970
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 101
IS 6
SP 249-272
DO 10.3367/UFNr.0101.197006c.0249
LK https://ufn.ru/ru/articles/1970/6/c/