Z.D. Kvon, L.V. Litvin, V.A. Tkachenko, A.L. Aseev
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, prosp. Akad. Lavrenteva 13, Novosibirsk, 630090, Russian Federation

PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458
URL: https://ufn.ru/en/articles/1999/4/j/
Web of Science

000080487700010
Citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L "One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference" Phys. Usp. 42 402–405 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л «Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции» УФН 169 471–474 (1999); DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471