L.V. Litvin



Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences
Address: prosp. Akad. Lavrenteva 13, Novosibirsk, 630090, Russian Federation


Articles

  1. Z.D. Kvon, L.V. Litvin, V.A. Tkachenko, A.L. Aseev “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference42 402–405 (1999)
  2. A.A. Bykov, Z.D. Kvon, E.B. Ol’shanskii et alQuasiballistic quantum interferometer38 217–219 (1995)

See also: Z.D. Kvon, A.L. Aseev, V.L. Ginzburg, V.A. Tkachenko, S.P. Moshchenko, G.A. Askar’yan, V.P. Migal’, A.V. Gurevich, V.G. Mansurov, A.A. Bykov, M.R. Baklanov, E.B. Ol’shanskii, Yu.V. Nastaushev, E.L. Feinberg, Yu.V. Kopaev

PACS: 07.60.Ly, 01.10.Fv, 73.23.Hb,

© 1918–2019 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions