Issues

 / 

1986

 / 

June

  

Meetings and conferences


Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electrons

 a,
a Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninsky prosp. 53, Moscow, 119991, Russian Federation
Fulltext pdf (102 KB)
Fulltext is also available at DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
PACS: 71.20.Nr, 73.21.Fg (all)
DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
URL: https://ufn.ru/en/articles/1986/6/j/
Citation: Volkov B A, Pankratov O A "Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electrons" Sov. Phys. Usp. 29 579–581 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Волков Б А, Панкратов О А «Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы» УФН 149 339–342 (1986); DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606j.0339

References (7) ↓ Cited by (4) Similar articles (20)

  1. B. A. Volkov and O. A. Pankratov Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 42 145 (1985); B. A. Volkov and O. A. Pankratov JETP Lett. 42 178 (1985)
  2. R. Peierls Z. Phys. 81 186 (1933)
  3. J. N. Schulman and T. C. McGill Appl. Phys. Lett. 34 663 (1979)
  4. Y. C. Chang, J N Schulman G Bastard Y. Guldner and M. Voos Phys. Rev. B31 2557 (1985)
  5. Y. R Lin-Lin and L. J. Sham Ibid. B 32 5561
  6. N. A. Cade J. Phys. C 18 5135 (1985)
  7. L. É. Gendenshte&ibreve;n and I. V. Krive Usp. Fiz. Nauk 146 553 (1985); L. É. Gendenshte&ibreve;n and I. V. Krive Sov. Phys. Usp. 28 645 (1985)

© 1918–2024 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions