Issues

 / 

1986

 / 

June

  

Meetings and conferences


Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electrons

 a,
a Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninsky prosp. 53, Moscow, 119991, Russian Federation
Fulltext pdf (102 KB)
Fulltext is also available at DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
PACS: 71.20.Nr, 73.21.Fg (all)
DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
URL: https://ufn.ru/en/articles/1986/6/j/
Citation: Volkov B A, Pankratov O A "Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electrons" Sov. Phys. Usp. 29 579–581 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Волков Б А, Панкратов О А «Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы» УФН 149 339–342 (1986); DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606j.0339

References (7) Cited by (4) ↓ Similar articles (20)

  1. Buccheri F, Egger R, De Martino A Phys. Rev. Research 6 (1) (2024)
  2. Durnev M V, Tarasenko S A Annalen Der Physik 531 (6) (2019)
  3. Tarasenko S A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 188 (10) (2018)
  4. Egorova S G, Chernichkin V I et al IEEE Trans. THz Sci. Technol. 5 659 (2015)

© 1918–2024 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions