N.G. Basov^a, A.F. Plotnikov, V.N. Seleznev
^aLebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninsky prosp. 53, Moscow, 119991, Russian Federation

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853
URL: https://ufn.ru/en/articles/1981/8/j/
Citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N "Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures" Sov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

@article{Basov:1981,
	author = {N. G. Basov and A. F. Plotnikov and V. N. Seleznev},
	title = {Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures},
	publisher = {Physics-Uspekhi},
	year = {1981},
	journal = {Phys. Usp.},
	volume = {24},
	number = {8},
	pages = {727-728},
	url = {https://ufn.ru/en/articles/1981/8/j/},
	doi = {10.1070/PU1981v024n08ABEH004853}
}

Оригинал: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н «Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)» УФН 134 747–748 (1981); DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747