Reproduction of material from the journal in any form requires written permission of the publisher.
Teachers, students and researchers can individually use the materials on Physics-Uspekhi website for noncommercial use in a teaching or research activities.
%0 Journal Article %T Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures %A N. G. Basov %A A. F. Plotnikov %A V. N. Seleznev %I Physics-Uspekhi %D 1981 %J Phys. Usp. %V 24 %N 8 %P 727-728 %U https://ufn.ru/en/articles/1981/8/j/ %U https://doi.org/10.1070/PU1981v024n08ABEH004853
Оригинал: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н «Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)» УФН 134 747–748 (1981); DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747