Выпуски

 / 

1981

 / 

Август

  

Совещания и конференции


Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/k/
Цитата: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н "Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)" УФН 134 747–748 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structuresSov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение