Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures

N.G. Basov^a, A.F. Plotnikov, V.N. Seleznev
^aLebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninsky prosp. 53, Moscow, 119991, Russian Federation

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853
URL: https://ufn.ru/en/articles/1981/8/j/
Citation: Basov N G, Plotnikov A F, Seleznev V N "Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures" Sov. Phys. Usp. 24 727–728 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

RT Journal
T1 Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures
A1 Basov,N.G.
A1 Plotnikov,A.F.
A1 Seleznev,V.N.
PB Physics-Uspekhi
PY 1981
FD 10 Aug, 1981
JF Physics-Uspekhi
JO Phys. Usp.
VO 24
IS 8
SP 727-728
DO 10.1070/PU1981v024n08ABEH004853
LK https://ufn.ru/en/articles/1981/8/j/

Оригинал: Басов Н Г, Плотников А Ф, Селезнев В Н «Электронные процессы в структурах маталл — нитрид кремния — двуокись кремния — полупроводник (МНОП)» УФН 134 747–748 (1981); DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108k.0747