81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
89.20.Bb Industrial and technological research and development
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН) » 189 803–848 (2019)
81.05.ue , 81.10.−h , 85.30.−z (все )
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения » 189 217–222 (2019)
81.10.−h , 89.20.Bb (все )
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений » 187 577–598 (2017)
33.15.Pw , 33.50.Dq , 42.50.Ex , 61.46.−w , 61.71.U-, 63.20.kp , 63.20.Pw , 78.55.−m , 81.10.−h (все )
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света » 186 504–517 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком » 186 518–523 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN » 186 524–536 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия » 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s , 81.10.−h (все )
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера » 185 143–159 (2015)
68.55.A− , 81.05.ug , 81.10.−h , 82.33.Ya (все )
В.Е. Фортов, А.А. Макаров «Направления инновационного развития энергетики мира и России » 179 1337–1353 (2009)
89.20.Bb , 89.30.−g , 89.60.−k (все )
Ю.С. Нечаев «Физические комплексные проблемы старения, охрупчивания и разрушения металлических материалов водородной энергетики и магистральных газопроводов » 178 709–726 (2008)
62.20.−x , 81.40.−z , 89.20.Bb (все )
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии » 178 243–266 (2008)
44.05.+e , 81.10.−h , 87.15.Aa , 87.54.Br (все )
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2 ) » 172 485–486 (2002)
81.10.−h
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях » 170 999–1002 (2000)
07.90.+c , 81.10.−h , 81.10.Fq (все )
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения) » 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q , 81.10.−h (все )
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов » 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h , 74.62.Bf , 81.10.−h , 74.25.Dw , 61.66.Fn (все )
А.П. Александров, С.Т. Беляев и др. «Юрий Ефремович Нестерихин (К шестидесятилетию со дня рождения) » 160 (10) 189–191 (1990)
01.60.+q , 52.35.Tc , 52.50.Lp , 52.70.Kz , 89.20.Bb (все )
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния » 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv , 85.40.−e , 81.10.−h , 81.15.−z (все )
А.П. Александров, С.В. Вонсовский и др. «Памяти Михаила Николаевича Михеева » 160 (4) 83–85 (1990)
01.60.+q , 01.10.Cr , 81.70.−q , 75.50.Bb , 75.80.+q , 89.20.Bb (все )
А.П. Александров, А.М. Балдин и др. «Памяти Александра Григорьевича Зельдовича » 154 337–338 (1988)
01.60.+q , 01.10.Cr , 07.20.Mc , 89.20.Kk , 89.20.Bb (все )
«XXVII съезд КПСС и задачи советской науки » 148 217–220 (1986)
01.10.Hx , 89.65.Gh , 89.20.Bb (все )
А.И. Лейпунский «Применение ядерной физики в смежных областях науки и народном хозяйстве » 95 15–23 (1968)
89.20.Bb , 89.20.Dd , 89.65.Gh (все )