42.72.Bj Visible and ultraviolet sources
81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
85.60.Dw Photodiodes; phototransistors; photoresistors
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН) » 189 803–848 (2019)
81.05.ue , 81.10.−h , 85.30.−z (все )
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения » 189 217–222 (2019)
81.10.−h , 89.20.Bb (все )
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений » 187 577–598 (2017)
33.15.Pw , 33.50.Dq , 42.50.Ex , 61.46.−w , 61.71.U-, 63.20.kp , 63.20.Pw , 78.55.−m , 81.10.−h (все )
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света » 186 504–517 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком » 186 518–523 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN » 186 524–536 (2016)
42.72.Bj , 81.10.−h , 85.60.Dw (все )
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия » 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s , 81.10.−h (все )
А.С. Бугаев, В.Б. Киреев и др. «Катодолюминесцентные источники света (современное состояние и перспективы) » 185 853–883 (2015)
42.72.Bj , 85.60.Jb , 88.05.Tg (все )
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера » 185 143–159 (2015)
68.55.A− , 81.05.ug , 81.10.−h , 82.33.Ya (все )
А.Г. Витухновский «Органическая фотоника: успехи и разочарования » 183 653–657 (2013)
42.70.Jk , 85.60.Dw , 85.60.Pg (все )
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии » 178 243–266 (2008)
44.05.+e , 81.10.−h , 87.15.Aa , 87.54.Br (все )
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах » 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m , 85.30.−z , 85.60.Dw (все )
М.И. Ломаев, В.С. Скакун и др. «Эксилампы — эффективные источники спонтанного УФ- и ВУФ-излучения » 173 201–217 (2003)
07.60.−j , 42.72.Bj , 52.80.−s (все )
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2 ) » 172 485–486 (2002)
81.10.−h
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях » 170 999–1002 (2000)
07.90.+c , 81.10.−h , 81.10.Fq (все )
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения) » 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q , 81.10.−h (все )
В.В. Майер, Р.В. Майер «Демонстрация акустического эффекта Допплера » 161 (3) 149–153 (1991)
43.28.Py , 43.38.Kb , 43.66.Lj , 85.60.Jb , 85.60.Dw (все )
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов » 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h , 74.62.Bf , 81.10.−h , 74.25.Dw , 61.66.Fn (все )
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния » 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv , 85.40.−e , 81.10.−h , 81.15.−z (все )
В.К. Попов «Мощные эксимерные лазеры и новые источники когерентного излучения в вакуумном ультрафиолете » 147 587–604 (1985)
42.55.Lt , 42.65.Re , 42.65.Ky , 42.65.Dr , 42.60.Jf , 42.72.Bj (все )
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами » 108 598–600 (1972)
73.40.Kp , 85.30.−z , 85.60.Dw (все )
В.В. Фадеев «Ультрафиолетовые лазеры на органических сцинтилляторах » 101 79–80 (1970)
42.55.Ks , 42.55.Rz , 42.70.Mp , 42.70.Hj , 42.70.Jk , 42.72.Bj (все )
И.С. Маршак «Сильноточные импульсные (искровые) разряды в газах, применяемые в импульсных источниках света » 77 229–286 (1962)
52.80.Mg , 42.72.Bj , 51.50.+v (все )
С.Н. Соколов, Л.Н. Эрастов «Демонстрация цепной реакции на модели » 70 377–379 (1960)
42.72.Bj , 84.32.Dd , 89.20.Kk (все )