Выпуски

 / 

2016

 / 

Май

  

Нобелевские лекции по физике


Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком


Nagoya University, Nagoya, Japan

Нобелевская лекция по физике, Стокгольм, 8 декабря 2014 г.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2014.12.037745
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/5/f/
Цитата: Амано Х "Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком" УФН 186 518–523 (2016)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 2 декабря 2015, 8 декабря 2014

English citation: Amano H “Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiationPhys. Usp. 59 (5) (2016)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение