Тошио Сакурай



Institute for Materials Research, Tohoku University
Адрес: 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan


Статьи

  1. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» УФН 174 383–405 (2004)
  2. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ч.-К. Щуе, Т. Сакурай «Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии» УФН 167 1227–1241 (1997)
  3. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ш. Вонг, Т. Сакурай «Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников» УФН 167 289–307 (1997)

См. также: Р.З. Бахтизин, Ч.-К. Щуе, Т. Хашицуме, Ч.-Ж. Щуе, К.-Х. Ву, Ш. Вонг

PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea, 61.16.Di, 68.55.Bd, 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение