Выпуски

 / 

2024

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

 а,  а,   а, б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Текст pdf (859 Кб)
Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость
PACS: 72.40.+w, 78.20.−e, 78.56.−a (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2024/10/b/
Цитата: Галеева А В, Казаков А С, Хохлов Д Р "Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты" УФН 194 1046–1058 (2024)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 октября 2023, доработана: 20 ноября 2023, 2 декабря 2023

English citation: Galeeva A V, Kazakov A S, Khokhlov D R “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effectsPhys. Usp. 67 (10) (2024); DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610

Список литературы (63) Похожие статьи (20) ↓

  1. З.Д. Квон, Д.А. Козлов и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» УФН 190 673–692 (2020)
  2. С.И. Веденеев «Квантовые осцилляции в трёхмерных топологических изоляторах» УФН 187 411–429 (2017)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  4. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  5. Н.А. Веретенов, Н.Н. Розанов, С.В. Федоров «Лазерные солитоны: топологические и квантовые эффекты» УФН 192 143–176 (2022)
  6. Н.Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов «Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем» УФН 72 161–209 (1960)
  7. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» УФН 72 711–740 (1960)
  8. С.Н. Вергелес, Н.Н. Николаев и др. «Эффекты общей теории относительности в прецизионных спиновых экспериментах по проверке фундаментальных симметрий» УФН 193 113–154 (2023)
  9. М.Н. Сапожников «50 лет селективной лазерной спектроскопии твёрдого тела: история, общие принципы и применения» УФН 188 409–435 (2018)
  10. В.С. Запасский, Г.Г. Козлов «Поляризованный свет в анизотропной среде и спин в магнитном поле» УФН 169 909–915 (1999)
  11. В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник-электролит» УФН 158 255–291 (1989)
  12. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  13. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)
  14. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич «Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах» УФН 111 261–288 (1973)
  15. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  16. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  17. В.А. Миличко, А.С. Шалин и др. «Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития» УФН 186 801–852 (2016)
  18. Ю.В. Гуляев, А.С. Бугаев и др. «Управление нанотранспортом с помощью рэтчет-эффекта» УФН 190 337–354 (2020)
  19. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  20. Л.А. Зубков, В.П. Романов «Критическая опалесценция» УФН 154 615–659 (1988)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение