Выпуски

 / 

2020

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Топологические изоляторы на основе HgTe

 а, б,  в, б,  а, б,  г,  в,  в
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Новосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
в Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
г Universidade de São Paulo, Instituto de Física, São Paulo, Brazil

Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе квантовых HgTe-ям и плёнок HgTe. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести нелокальный баллистический и диффузионный транспорт, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трёхмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^{5}~$см$^2$~В$^{-1}$~с$^{-1}$) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объёмной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жёсткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: топологические изоляторы, краевой транспорт, квантовая яма, инверсный энергетический спектр
PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038669
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/7/a/
Цитата: Квон З Д, Козлов Д А, Ольшанецкий Е Б, Гусев Г М, Михайлов Н Н, Дворецкий С А "Топологические изоляторы на основе HgTe" УФН 190 673–692 (2020)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 13 мая 2019, доработана: 25 сентября 2019, 4 октября 2019

English citation: Kvon Z D, Kozlov D A, Olshanetsky E B, Gusev G M, Mikhailov N N, Dvoretsky S A “Topological insulators based on HgTePhys. Usp. 63 629–647 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение