RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2024

 / 

Октябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

 а,  а, †  а, б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Текст pdf (859 Кб)
Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость
PACS: 72.40.+w, 78.20.−e, 78.56.−a (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2024/10/b/
Цитата: Галеева А В, Казаков А С, Хохлов Д Р "Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты" УФН 194 1046–1058 (2024)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 октября 2023, доработана: 20 ноября 2023, 2 декабря 2023

English citation: Galeeva A V, Kazakov A S, Khokhlov D R “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effects” Phys. Usp. 67 (10) (2024); DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610

Список литературы (63) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Hsieh D et al Nature 452 970 (2008)
  2. Ganichev S D, Prettl W J. Phys. Condens. Matter 15 R935 (2003)
  3. Ivchenko E L Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Harrow, UK: Alpha Science, 2005)
  4. Ивченко Е Л, Пикус Г Е Письма в ЖЭТФ 27 640 (1978); Ivchenko E L, Pikus G E JETP Lett. 27 604 (1978)
  5. Belinicher V I Phys. Lett. A 66 213 (1978)
  6. Ganichev S, Prettl W Intense Terahertz Excitation of Semiconductors (Oxford: Oxford Univ. Press, 2005)
  7. Белиничер В И, Стурман Б И УФН 130 415 (1980); Belinicher V I, Sturman B I Sov. Phys. Usp. 23 199 (1980)
  8. Pan Y et al Nat. Commun. 8 1037 (2017)
  9. Olbrich P et al Phys. Rev. Lett. 113 096601 (2014)
  10. Plank H et al J. Appl. Phys. 120 165301 (2016)
  11. Plank H et al Phys. Rev. Mater. 2 024202 (2018)
  12. Plank H, Ganichev S D Solid-State Electron. 147 44 (2018)
  13. Danilov S N et al Phys. Rev. Appl. 16 064030 (2021)
  14. Sun X et al Sci. Adv. eabe 5748 (2021)
  15. Wang Y M et al J. Phys. Condens. Matter 31 415702 (2019)
  16. Ando Y J. Phys. Soc. Jpn. 82 102001 (2013)
  17. Zhang H et al Nature Phys. 5 438 (2009)
  18. Xia Y et al Nature Phys. 5 398 (2009)
  19. Chen Y L et al Science 325 178 (2009)
  20. Hsieh D et al Phys. Rev. Lett. 103 146401 (2009)
  21. Bernevig B A, Hughes T L, Zhang S-C Science 314 1757 (2006)
  22. Büttner B et al Nature Phys. 7 418 (2011)
  23. Квон З Д и др Письма в ЖЭТФ 87 588 (2008); Kvon Z D et al JETP Lett. 87 502 (2008)
  24. Brüne C et al Phys. Rev. Lett. 106 126803 (2011)
  25. Dantscher K-M et al Phys. Rev. B 95 201103 (2017)
  26. Dantscher K-M et al Phys. Rev. B 92 165314 (2015)
  27. Candussio S et al Phys. Rev. Mater. 3 054205 (2019)
  28. Hubmann S et al Phys. Rev. Mater. 4 043607 (2020)
  29. Кикоин И К, Носков М М ЖЭТФ 4 123 (1934); KikoI K, Noskov M M Phys. Z. Sowjetunion 5 586 (1934)
  30. Кикоин И К, Лазарев С Д УФН 124 597 (1978); KikoI K, Lazarev S D Sov. Phys. Usp. 21 297 (1978)
  31. Galeeva A V et al Semicond. Sci. Technol. 31 095010 (2016)
  32. Egorova S G et al Sci. Rep. 5 11540 (2015)
  33. Galeeva A V et al Beilstein J. Nanotechnol. 8 167 (2017)
  34. Galeeva A V et al Nanomaterials 11 3207 (2021)
  35. Dvoretsky S et al J. Electron. Mater. 39 918 (2010)
  36. VaravV S et al J. Cryst. Growth 159 1161 (1996)
  37. Rogalski A Rep. Prog. Phys. 68 2267 (2005)
  38. Румянцев В В и др ФТП 47 1446 (2013); Rumyantsev V V et al Semiconductors 47 1438 (2013)
  39. Козлов Д В и др Письма в ЖЭТФ 113 399 (2021); Kozlov D V et al JETP Lett. 113 402 (2021)
  40. Галеева А В и др Письма в ЖЭТФ 106 156 (2017); Galeeva A V et al JETP Lett. 106 162 (2017)
  41. Shuvaev A M et al Semicond. Sci. Technol. 27 124004 (2012)
  42. Dziom V et al Nat. Commun. 8 15197 (2017)
  43. Shuvaev A et al Appl. Phys. Lett. 102 241902 (2013)
  44. Shuvaev A M et al Phys. Rev. B 87 121104 (2013)
  45. Brüne C et al Phys. Rev. Lett. 106 126803 (2011)
  46. Ольшанецкий Е Б и др Письма в ЖЭТФ 93 584 (2011); Olshanetsky E B et al JETP Lett. 93 526 (2011)
  47. Savchenko M L et al J. Phys. Condens. Matter 35 345302 (2023)
  48. Квон З Д и др УФН 190 673 (2020); Kvon Z D et al Phys. Usp. 63 629 (2020)
  49. Candussio S et al Phys. Rev. Mater. 3 054205 (2019)
  50. Savchenko M L et al Appl. Phys. Lett. 117 201103 (2020)
  51. Shuvaev A M et al Semicond. Sci. Technol. 27 124004 (2012)
  52. Gospodarič J et al Phys. Rev. B 99 115130 (2019)
  53. Mani R G et al Nature 420 646 (2002)
  54. Tomaka G et al Opto-Electron. Rev. 25 188 (2017)
  55. Galeeva A V et al Beilstein J. Nanotechnol. 9 1035 (2018)
  56. Galeeva A V et al Sci. Rep. 10 2377 (2020)
  57. Галеева А В и др ФТП 54 873 (2020); Galeeva A V et al Semiconductors 54 1064 (2020)
  58. Казаков А С и др Письма в ЖЭТФ 112 263 (2020); Kazakov A S et al JETP Lett. 112 246 (2020)
  59. Kazakov A S et al Sci. Rep. 11 1587 (2021)
  60. Казаков А С и др Письма в ЖЭТФ 113 548 (2021); Kazakov A S et al JETP Lett. 113 542 (2021)
  61. Kazakov A S et al Sci. Rep. 11 11638 (2021)
  62. Казаков А С и др Изв. РАН. Сер. физическая 87 843 (2023); Kazakov A S et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 87 739 (2023)
  63. Roth A et al Science 325 294 (2009)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение