Топологические изоляторы на основе HgTe

З.Д. Квон^а, б, Д.А. Козлов^в, б, Е.Б. Ольшанецкий^а, б, Г.М. Гусев^г, Н.Н. Михайлов^в, С.А. Дворецкий^в
^аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бНовосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^вИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^гUniversidade de São Paulo, Instituto de Física, São Paulo, Brazil

Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе квантовых HgTe-ям и плёнок HgTe. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести нелокальный баллистический и диффузионный транспорт, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трёхмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^{5}~$см$^2$~В$^{-1}$~с$^{-1}$) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объёмной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жёсткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.

Текст pdf (1,4 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669

Ключевые слова: топологические изоляторы, краевой транспорт, квантовая яма, инверсный энергетический спектр
PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038669
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/7/a/
Web of Science

000575189200001
Scopus

2-s2.0-85092483236
ADS NASA

2020PhyU...63..629K
Цитата: Квон З Д, Козлов Д А, Ольшанецкий Е Б, Гусев Г М, Михайлов Н Н, Дворецкий С А "Топологические изоляторы на основе HgTe" УФН 190 673–692 (2020)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Топологические изоляторы на основе HgTe
A1 Квон,З.Д.
A1 Козлов,Д.А.
A1 Ольшанецкий,Е.Б.
A1 Гусев,Г.М.
A1 Михайлов,Н.Н.
A1 Дворецкий,С.А.
PB Успехи физических наук
PY 2020
FD 10 Jul, 2020
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 190
IS 7
SP 673-692
DO 10.3367/UFNr.2019.10.038669
LK https://ufn.ru/ru/articles/2020/7/a/

Поступила: 13 мая 2019, доработана: 25 сентября 2019, одобрена в печать: 4 октября 2019

English citation: Kvon Z D, Kozlov D A, Olshanetsky E B, Gusev G M, Mikhailov N N, Dvoretsky S A “Topological insulators based on HgTe” Phys. Usp. 63 629–647 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669