Г.М. Гусев



Universidade de São Paulo, Instituto de Física
Адрес: São Paulo, Brazil
Телефон: +55 (11) 3814 0503
Факс: +55 (11) 3814 0503
Вебсайт:

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Адрес: просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (383) 333 27 66
Факс: +7 (383) 333 27 71
Вебсайт:


Cтатьи, принятые к публикаци

  1. З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe», принята к публикации

Статьи

  1. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» 168 175–178 (1998)

См. также: Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Д.К. Мауд, Дж.С. Портал

PACS: 73.40.Gk, 05.45.+b

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение