Топологические изоляторы на основе HgTe

З.Д. Квон^а, б, Д.А. Козлов^в, б, Е.Б. Ольшанецкий^а, б, Г.М. Гусев^г, Н.Н. Михайлов^в, С.А. Дворецкий^в
^аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бНовосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^вИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^гUniversidade de São Paulo, Instituto de Física, São Paulo, Brazil

Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе квантовых HgTe-ям и плёнок HgTe. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести нелокальный баллистический и диффузионный транспорт, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трёхмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^{5}~$см$^2$~В$^{-1}$~с$^{-1}$) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объёмной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жёсткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.

Текст pdf (1,4 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669

Ключевые слова: топологические изоляторы, краевой транспорт, квантовая яма, инверсный энергетический спектр
PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038669
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/7/a/
Web of Science

000575189200001
Scopus

2-s2.0-85092483236
ADS NASA

2020PhyU...63..629K
Цитата: Квон З Д, Козлов Д А, Ольшанецкий Е Б, Гусев Г М, Михайлов Н Н, Дворецкий С А "Топологические изоляторы на основе HgTe" УФН 190 673–692 (2020)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 13 мая 2019, доработана: 25 сентября 2019, одобрена в печать: 4 октября 2019

English citation: Kvon Z D, Kozlov D A, Olshanetsky E B, Gusev G M, Mikhailov N N, Dvoretsky S A “Topological insulators based on HgTe” Phys. Usp. 63 629–647 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669

Список литературы (75) Статьи, ссылающиеся на эту (18) ↓ Похожие статьи (20)

Vergeles S N, Nikolaev N N et al Phys. Usp. 66 109 (2023)
Eroshenko Yu N Успехи физических наук 193 1134 (2023)
[Eroshenko Yu N Phys. Usp. 66 1068 (2023)]
Olshanetsky E B, Kvon Z D et al Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 147 115605 (2023)
Ryzhkov M S, Kozlov D A et al Jetp Lett. 117 44 (2023)
Durnev M V, Budkin G V, Tarasenko S A J. Exp. Theor. Phys. 135 540 (2022)
Diniz G S, Vernek E, Martins G B Nanomaterials 12 1480 (2022)
Huang Y, Skinner B, Shklovskii B I J. Exp. Theor. Phys. 135 409 (2022)
Huang Y, He Ya et al Phys. Rev. B 105 (5) (2022)
Ferreira G J, Candido D R et al Sci Rep 12 (1) (2022)
Szoła M, Ivonyak Yu et al Phys. Rev. B 106 (19) (2022)
Veretenov N A, Rosanov N N, Fedorov S V Phys.-Usp. 65 131 (2022)
Gusev G M, Kvon Z D et al Nanomaterials 11 3364 (2021)
Mahmoodian M M, Entin M V J. Phys.: Condens. Matter 33 395302 (2021)
Anh L D, Takase K et al Advanced Materials 33 (51) (2021)
Tarasov A S, Mikhailov N N et al Semiconductors 55 S62 (2021)
Eroshenko Yu N Phys.-Usp. 64 638 (2021)
Gospodarič Ja, Shuvaev A et al Phys. Rev. B 104 (11) (2021)