Сергей Алексеевич Дворецкий



Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Адрес: просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (383) 333 27 66
Факс: +7 (383) 333 27 71
Вебсайт:


Cтатьи, принятые к публикаци

  1. З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe», принята к публикации

См. также: Г.М. Гусев, Н.Н. Михайлов, Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение