Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл

Н.В. Марченков^а, б, А.Г. Куликов^а, б, И.И. Аткнин^а, б, А.А. Петренко^а, б, А.Е. Благов^а, б, М.В. Ковальчук^а, б
^аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
^бНациональный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. акад. Курчатова 1, Москва, 123182, Российская Федерация

Разработана и впервые реализована рентгеновская методика картирования обратного пространства в трёхосевой геометрии дифракции с временным разрешением на лабораторном источнике излучения. Методика позволяет изучать протекающие в образце под влиянием внешних воздействий процессы, вызывающие обратимые деформации его кристаллической решётки, разграничивать эти процессы во времени, а также разделять разные виды деформаций, возникающих в кристалле в результате этих воздействий. Суть методики заключается в измерении временных зависимостей интенсивности для каждой точки обратного пространства в окрестности дифракционного максимума в трёхосевой геометрии дифракции при повторяющемся и идентичном по своей структуре воздействии на образец электрическим полем высокой напряжённости, с последующим построением эволюции во времени двумерной карты обратного пространства. Временное разрешение достигается благодаря быстродействующему многоканальному анализатору интенсивности, синхронизованному с высоковольтным источником напряжения. Продемонстрированы результаты измерения дифракционных карт обратного пространства на лабораторном источнике излучения для пьезоэлектрического кристалла лантан-галлиевого силиката при воздействии на него внешним электрическим полем напряжённостью 3,08 кВ мм⁻¹, близкой к пробойной, с временным разрешением до 10 мс.

Текст pdf (292 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2018.06.038348

Ключевые слова: времяразрешающая методика, карта обратного пространства, трёхкристальная рентгеновская дифрактометрия, внешнее электрическое поле, пьезоэффект, лангасит
PACS: 06.60.Jn
DOI: 10.3367/UFNr.2018.06.038348
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/2/d/
Web of Science

000466030200004
Scopus

2-s2.0-85064744587
ADS NASA

2019PhyU...62..179M
Цитата: Марченков Н В, Куликов А Г, Аткнин И И, Петренко А А, Благов А Е, Ковальчук М В "Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл" УФН 189 187–194 (2019)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2018, доработана: 6 мая 2018, одобрена в печать: 6 июня 2018

English citation: Marchenkov N V, Kulikov A G, Atknin I I, Petrenko A A, Blagov A E, Kovalchuk M V “Time-resolved X-ray reciprocal space mapping of the crystal under external electric field” Phys. Usp. 62 179–185 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.06.038348

Список литературы (24) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (11) Похожие статьи (5)

Ren Z et al J. Synchrotron Rad. 6 891 (1999)
Blagov A E et al Exp. Tech. 41 517 (2017)
Gorfman S et al Z. Kristallogr. 222 396 (2007)
Gorfman S et al J. Appl. Phys. 108 064911 (2010)
Marchenkov N V et l. Rev. Sci. Instrum. 89 095105 (2018)
Hanzig J et al Phys. Rev. B 88 024104 (2013)
Ковальчук М В и др Кристаллография 59 950 (2014); Kovalchuk M V et al Crystallogr. Rep. 59 862 (2014)
Куликов А Г и др Акуст. журн. 62 675 (2016); Kulikov A G Acoust. Phys. 62 694 (2016)
Chahine G A et al J. Appl. Cryst. 47 762 (2014)
Bowen D K, Tanner B K High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography (London: Taylor and Francis, 1998); Пер. на русск. яз., Боуэн Д К, Таннер Б К Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб.: Наука, 2002)
Fewster P F Critical Rev. Solid State Mater. Sci. 22 69 (1997)
Holý V et al J. Appl. Phys. 78 5013 (1995)
Kaganer V M et al Phys. Rev. B 55 1793 (1997)
Nesterets Y I, Punegov V I Acta Cryst. A 56 540 (2000)
Holý V et al J. Appl. Cryst. 27 551 (1994)
Афанасьев А М, Александров П А, Имамов Р М Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев (М.: Наука, 1989)
Ломов А А и др Кристаллография 48 362 (2003); Lomov A A et al Crystallogr. Rep. 48 326 (2003)
Ковальчук М В и др Приборы и техника эксперимента (1) 194 (1976)
Ковальчук М В, Кон В Г УФН 149 69 (1986); Koval'chuk M V, Kohn V G Sov. Phys. Usp. 29 426 (1986)
Bjørheim T S, Haugsrud R, Norby T Solid State Ionics 264 76 (2014)
Mill B V, Pisarevsky Y V Proc. of the 2000 IEEE/EIA Intern. Frequency Control Symp. and Exhibition, 9 June 2000, Kansas City, MO, USA (Piscataway, NJ: IEEE, 2000) p. 133
Кузьмичева Г М Некоторые аспекты прикладной кристаллохимии (М.: Московский технологический ун-т, 2014)
Seh H, Tuller H L J. Electroceramics 15 193 (2005)
Kaminskii A A et al Phys. Status Solidi A 80 607 (1983)