Выпуски

 / 

2019

 / 

Февраль

  

Приборы и методы исследований


Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл

 а, б,  а, б,  а, б,  а, б,  а, б,  а, б
а Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
б Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. акад. Курчатова 1, Москва, 123182, Российская Федерация

Разработана и впервые реализована рентгеновская методика картирования обратного пространства в трёхосевой геометрии дифракции с временным разрешением на лабораторном источнике излучения. Методика позволяет изучать протекающие в образце под влиянием внешних воздействий процессы, вызывающие обратимые деформации его кристаллической решётки, разграничивать эти процессы во времени, а также разделять разные виды деформаций, возникающих в кристалле в результате этих воздействий. Суть методики заключается в измерении временных зависимостей интенсивности для каждой точки обратного пространства в окрестности дифракционного максимума в трёхосевой геометрии дифракции при повторяющемся и идентичном по своей структуре воздействии на образец электрическим полем высокой напряжённости, с последующим построением эволюции во времени двумерной карты обратного пространства. Временное разрешение достигается благодаря быстродействующему многоканальному анализатору интенсивности, синхронизованному с высоковольтным источником напряжения. Продемонстрированы результаты измерения дифракционных карт обратного пространства на лабораторном источнике излучения для пьезоэлектрического кристалла лантан-галлиевого силиката при воздействии на него внешним электрическим полем напряжённостью 3,08 кВ мм−1, близкой к пробойной, с временным разрешением до 10 мс.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
Ключевые слова: времяразрешающая методика, карта обратного пространства, трёхкристальная рентгеновская дифрактометрия, внешнее электрическое поле, пьезоэффект, лангасит
PACS: 06.60.Jn
DOI: 10.3367/UFNr.2018.06.038348
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/2/d/
Цитата: Марченков Н В, Куликов А Г, Аткнин И И, Петренко А А, Благов А Е, Ковальчук М В "Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл" УФН 189 187–194 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл
A1 Марченков,Н.В.
A1 Куликов,А.Г.
A1 Аткнин,И.И.
A1 Петренко,А.А.
A1 Благов,А.Е.
A1 Ковальчук,М.В.
PB Успехи физических наук
PY 2019
FD 10 Feb, 2019
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 189
IS 2
SP 187-194
DO 10.3367/UFNr.2018.06.038348
LK https://ufn.ru/ru/articles/2019/2/d/

Поступила: 15 января 2018, доработана: 6 мая 2018, 6 июня 2018

English citation: Marchenkov N V, Kulikov A G, Atknin I I, Petrenko A A, Blagov A E, Kovalchuk M V “Time-resolved X-ray reciprocal space mapping of the crystal under external electric fieldPhys. Usp. 62 179–185 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.06.038348

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение