RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2017

 / 

Ноябрь

←  →

Памяти Леонида Вениаминовича Келдыша. Обзоры актуальных проблем


Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

 а, б,  в,  в,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация
в Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.

Текст pdf (1,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055
Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие
PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/
000424395100002
2-s2.0-85042146920
2017PhyU...60.1067A
Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН 187 1147–1168 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 12 декабря 2016, 28 января 2017

English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling features in semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 60 1067–1086 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Л.В. Келдыш — автор УФН

Список литературы (39) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (7) Похожие статьи (5)

  1. Binning G et al. Phys. Rev. Lett. 50 120 (1983)
  2. Marczinowski F et al. Phys. Rev. Lett. 99 157202 (2007)
  3. Feenstra R M Phys. Rev. Lett. 63 1412 (1989)
  4. Madhavan V et al. Phys. Rev. B 64 165412 (2001)
  5. Morgenstern M et al. Phys. Status Solidi B 210 845 (1998)
  6. Mahieu G et al. Phys. Rev. Lett. 94 026407 (2005)
  7. Sullivan J M et al. Phys. Rev. B 68 235324 (2003)
  8. Wolf E L Principles of Electron Tunneling Spectroscopy (New York: Oxford Univ. Press, 1985); Пер. на русск. яз., Вольф Е Л Принципы электронной туннельной спектроскопии (Киев: Наукова думка, 1990)
  9. Маслова Н С и др. Письма в ЖЭТФ 67 130 (1998); Maslova N S et al. JETP Lett. 67 146 (1998)
  10. Maslova N S et al. Phys. Status Solidi A 131 35 (1992)
  11. Maslova N S et al. Solid State Commun. 95 507 (1995)
  12. Zheng J F et al. Phys. Rev. Lett. 72 1490 (1994)
  13. Depuydt A et al. Phys. Rev. B 60 2619 (1999)
  14. Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В УФН 170 575 (2000); Maslova N S, Panov V I, Savinov S V Phys. Usp. 43 531 (2000)
  15. Marczinowski F et al. Phys. Rev. B 77 115318 (2008)
  16. Depuydt A et al. Appl. Phys. A 66 S171 (1998)
  17. Arseev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V ЖЭТФ 121 225 (2002); Arseev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V JETP 94 191 (2002)
  18. Anderson P W Phys. Rev. 124 41 (1961)
  19. Mahan G D Phys. Rev. 163 612 (1967)
  20. Matveev K A, Larkin A I Phys. Rev. B 46 15337 (1992)
  21. Arseyev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V Письма в ЖЭТФ 76 345 (2002); Arseyev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V JETP Lett. 76 287 (2002)
  22. Келдыш Л В ЖЭТФ 47 1515 (1964); Keldysh L V Sov. Phys. JETP 20 1018 (1965)
  23. Арсеев П И УФН 185 1271 (2015); Arseev P I Phys. Usp. 58 1159 (2015)
  24. Arseyev P I, Volkov B A Solid State Commun. 78 373 (1991)
  25. Арсеев П И, Маслова Н С ЖЭТФ 102 1056 (1992); Arseev P I, Maslova N S JETP 75 575 (1992)
  26. Arseev P I, Maslova N S, Mantsevich V N ЖЭТФ 142 156 (2012); Arseev P I, Maslova N S, Mantsevich V N JETP 115 141 (2012)
  27. Maslova N S, Arseyev P I, Mantsevich V N Solid State Commun. 241 20 (2016)
  28. Bardeen J Phys. Rev. Lett. 6 57 (1961)
  29. Feenstra R M, Fein A P Phys. Rev. B 32 1394(R) (1985)
  30. Zheng Z F, Salmeron M B, Weber E R Appl. Phys. Lett. 64 1836 (1994)
  31. Lengel G et al. J. Vac. Sci. Technol. B 11 1472 (1993)
  32. Renner Ch, Fischer O Phys. Rev. B 51 9208 (1995)
  33. Arseyev P I, Maslova N S Solid State Commun. 108 717 (1998)
  34. Domke C et al. J. Vac. Sci. Technol. B 16 2825 (1998)
  35. Pacherová O et al. Czech. J. Phys. 49 1621 (1999)
  36. Арсеев П И и др. Письма в ЖЭТФ 72 819 (2000); Arseev P I et al. JETP Lett. 72 565 (2000)
  37. Arseyev P I, Maslova N S, Savinov S V Письма в ЖЭТФ 68 299 (1998); Arseyev P I, Maslova N S, Savinov S V JETP Lett. 68 320 (1998)
  38. Beenakker C W J Phys. Rev. B 44 1646 (1991)
  39. Kaminski A, Glazman L I Phys. Rev. B 61 15927 (2000)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение