Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

П.И. Арсеев^а, б, В.Н. Манцевич^в, Н.С. Маслова^в, В.И. Панов^в
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бНациональный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация
^вМосковский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие
PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/
Web of Science

000424395100002
Scopus

2-s2.0-85042146920
ADS NASA

2017PhyU...60.1067A
Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН 187 1147–1168 (2017)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 12 декабря 2016, одобрена в печать: 28 января 2017

English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling features in semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 60 1067–1086 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Л.В. Келдыш — автор УФН

Список литературы (39) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (7) Похожие статьи (5)

Binning G et al. Phys. Rev. Lett. 50 120 (1983)
Marczinowski F et al. Phys. Rev. Lett. 99 157202 (2007)
Feenstra R M Phys. Rev. Lett. 63 1412 (1989)
Madhavan V et al. Phys. Rev. B 64 165412 (2001)
Morgenstern M et al. Phys. Status Solidi B 210 845 (1998)
Mahieu G et al. Phys. Rev. Lett. 94 026407 (2005)
Sullivan J M et al. Phys. Rev. B 68 235324 (2003)
Wolf E L Principles of Electron Tunneling Spectroscopy (New York: Oxford Univ. Press, 1985); Пер. на русск. яз., Вольф Е Л Принципы электронной туннельной спектроскопии (Киев: Наукова думка, 1990)
Маслова Н С и др. Письма в ЖЭТФ 67 130 (1998); Maslova N S et al. JETP Lett. 67 146 (1998)
Maslova N S et al. Phys. Status Solidi A 131 35 (1992)
Maslova N S et al. Solid State Commun. 95 507 (1995)
Zheng J F et al. Phys. Rev. Lett. 72 1490 (1994)
Depuydt A et al. Phys. Rev. B 60 2619 (1999)
Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В УФН 170 575 (2000); Maslova N S, Panov V I, Savinov S V Phys. Usp. 43 531 (2000)
Marczinowski F et al. Phys. Rev. B 77 115318 (2008)
Depuydt A et al. Appl. Phys. A 66 S171 (1998)
Arseev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V ЖЭТФ 121 225 (2002); Arseev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V JETP 94 191 (2002)
Anderson P W Phys. Rev. 124 41 (1961)
Mahan G D Phys. Rev. 163 612 (1967)
Matveev K A, Larkin A I Phys. Rev. B 46 15337 (1992)
Arseyev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V Письма в ЖЭТФ 76 345 (2002); Arseyev P I, Maslova N S, Panov V I, Savinov S V JETP Lett. 76 287 (2002)
Келдыш Л В ЖЭТФ 47 1515 (1964); Keldysh L V Sov. Phys. JETP 20 1018 (1965)
Арсеев П И УФН 185 1271 (2015); Arseev P I Phys. Usp. 58 1159 (2015)
Arseyev P I, Volkov B A Solid State Commun. 78 373 (1991)
Арсеев П И, Маслова Н С ЖЭТФ 102 1056 (1992); Arseev P I, Maslova N S JETP 75 575 (1992)
Arseev P I, Maslova N S, Mantsevich V N ЖЭТФ 142 156 (2012); Arseev P I, Maslova N S, Mantsevich V N JETP 115 141 (2012)
Maslova N S, Arseyev P I, Mantsevich V N Solid State Commun. 241 20 (2016)
Bardeen J Phys. Rev. Lett. 6 57 (1961)
Feenstra R M, Fein A P Phys. Rev. B 32 1394(R) (1985)
Zheng Z F, Salmeron M B, Weber E R Appl. Phys. Lett. 64 1836 (1994)
Lengel G et al. J. Vac. Sci. Technol. B 11 1472 (1993)
Renner Ch, Fischer O Phys. Rev. B 51 9208 (1995)
Arseyev P I, Maslova N S Solid State Commun. 108 717 (1998)
Domke C et al. J. Vac. Sci. Technol. B 16 2825 (1998)
Pacherová O et al. Czech. J. Phys. 49 1621 (1999)
Арсеев П И и др. Письма в ЖЭТФ 72 819 (2000); Arseev P I et al. JETP Lett. 72 565 (2000)
Arseyev P I, Maslova N S, Savinov S V Письма в ЖЭТФ 68 299 (1998); Arseyev P I, Maslova N S, Savinov S V JETP Lett. 68 320 (1998)
Beenakker C W J Phys. Rev. B 44 1646 (1991)
Kaminski A, Glazman L I Phys. Rev. B 61 15927 (2000)