Выпуски

 / 

2017

 / 

Ноябрь

  

Памяти Леонида Вениаминовича Келдыша. Обзоры актуальных проблем


Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

 а, б,  в,  в,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация
в Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.

Текст pdf (1,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055
Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие
PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/
000424395100002
2-s2.0-85042146920
2017PhyU...60.1067A
Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН 187 1147–1168 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах
A1 Арсеев,П.И.
A1 Манцевич,В.Н.
A1 Маслова,Н.С.
A1 Панов,В.И.
PB Успехи физических наук
PY 2017
FD 10 Nov, 2017
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 187
IS 11
SP 1147-1168
DO 10.3367/UFNr.2017.01.038055
LK https://ufn.ru/ru/articles/2017/11/b/

Поступила: 12 декабря 2016, 28 января 2017

English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling features in semiconductor nanostructuresPhys. Usp. 60 1067–1086 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Л.В. Келдыш — автор УФН

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение