Выпуски

 / 

2000

 / 

Май

  

Конференции и симпозиумы


Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

, ,
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 61.16.Ch, 68.35.−p, 78.50.-w
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В "Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников" УФН 170 575–578 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Maslova N S, Panov V I, Savinov S V “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surfacePhys. Usp. 43 531–533 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение